主页产品 MOSFET 中压MOSFET

中压MOSFET

中压MOSFET（Medium-voltage MOSFET）在电压和电流能力之间取得了平衡，是工业应用中最常见的类型。漏源电压（Vds）通常为200V, 300V, 400V, 500V, 600V。超结技术是其革命性的进步，它通过在传统的漂移区中插入P型柱，实现了比传统平面结构更低的导通电阻和更快的开关速度。

制造商
{{item}}
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封装
{{item}}
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类型
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VDS_Max/V
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{{item}}
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{{item}}
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RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V
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{{item}}
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RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V
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{{item}}
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RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 4.5V
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{{item}}
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RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V
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{{item}}
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VGS_Max/V
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{{item}}
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可用中压MOSFET型号：{{totalCount}}个
型号 制造商 封装 类型 VDS_Max/V ID_Max /A VGS(th)Typ/V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 4.5V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V VGS_Max/V
LG1P037N10A LEADSILICON TO-220C S-N 100 160 3 3.7 5 ±25
LG2P042N10A LEADSILICON TO-220C S-N 100 120 3 4.2 5.1 ±20
LG2P044N10A LEADSILICON TO-220C S-N 100 115 3 4.6 5.5 ±20
LGCB029N10A LEADSILICON TO-263-2L S-N 100 170 1.5 2.8 3.5 3.5 4.7 ±20
LGCB037N10A LEADSILICON TO-263-2L S-N 100 160 3 3.7 4.2 ±25
LGCB055N15A LEADSILICON TO-263-2L S-N 100 110 3 5.5 7 ±20
LGBM009N10A LEADSILICON TO-263-7L S-N 100 300 3 0.9 1.26 ±20
LGBM011N10A LEADSILICON TO-263-7L S-N 100 300 3 1.1 1.5 ±20
LGBM018N10A LEADSILICON TO-263-7L S-N 100 500 3 1.8 2.5 ±20
LGBM017N10A LEADSILICON TO-263-7L S-N 100 250 3 2 2.5 ±20
LGDQ950N10DA LEADSILICON SOP8 D-N 100 3.5 1.6 95 130 135 190 ±20
LGAC350P10A LEADSILICON PDFNWB5×6-8L S-P -100 -30 -2 35 50 45 65 ±20
LM1U400P10A LEADSILICON TO-252-2L S-P -100 -32 -1.8 40 50 42 55 ±20
LM1U480P10A LEADSILICON TO-252-2L S-P -100 -30 -2 48 55 55 62 ±20
LM1U860P10A LEADSILICON TO-252-2L S-P -100 -16 -1.8 86 110 90 120 ±20
LM1U2K8P10A LEADSILICON TO-252-2L S-P -100 -7 -1.8 280 360 300 400 ±20
LMCB400P10A LEADSILICON TO-263-2L S-P -100 -32 -1.8 40 50 42 55 ±20
LM1K3P10A LEADSILICON SOT-23-3L S-P -100 -3 280 360 300 400 ±20
LMDQ950C10A LEADSILICON SOP8 N+P 100-100 4.0-5.0 1.5--1.5 95-90 110-110 100-100 120-120 ±20-±20
LM1Q850C10A LEADSILICON SOP8 N+P 100-100 4-2.8 1.8--2 85-220 100-260 90-230 130-290 ±20-±20