主页产品 MOSFET 低压MOSFET

低压MOSFET

低压 MOSFET （Low-voltage MOSFET）是多种电流应用中必不可少的电子元件，因为它们能够以低功率损耗切换大电流。它们在低电压下工作，设计为在漏源电压（Vds）通常低于 200 V 下工作。在消费电子、电信、工业自动化、能源管理系统、稳压器和电源等领域尤为常见。低压 MOSFET具有与高压设计相同的功能。它们非常适合需要高效率和处理大电流能力的应用，即使在电源电压非常低的情况下也是如此。

制造商
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封装
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类型
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VDS_Max/V
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RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V
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RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V
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VGS_Max/V
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可用低压MOSFET型号：{{totalCount}}个
型号 制造商 封装 类型 VDS_Max/V ID_Max/A VGS(th)Typ/V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS4.5V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V VGS_Max/V
LM2E2301 LEADSILICON SOT-23 S-P -20 -3 -0.7 54 70 ±12
LM2E2301A LEADSILICON SOT-23 S-P -20 -3 -0.7 54 70 ±12
LM2E2301B LEADSILICON SOT-23 S-P -20 -2 -0.7 90 120 ±12
LM2E2301C LEADSILICON SOT-23 S-P -20 -1.5 -0.7 125 160 ±12
LM2E2305A LEADSILICON SOT-23 S-P -20 -5 -0.65 30 40 ±12
LM2E3415KA LEADSILICON SOT-23 S-P -20 -4.5 -0.65 30 40 ±10
LM1W2101A LEADSILICON SOT-323 S-P -20 -1.6 -0.7 60 90 ±12
LM1W2301B LEADSILICON SOT-323 S-P -20 -2 -0.7 100 130 ±12
LM1W2301C LEADSILICON SOT-323 S-P -20 -1.2 -0.7 130 170 ±12
LM1K2006A LEADSILICON SOT-23-3L S-P -20 -6 -0.6 20 28 ±12
LM1K2009A LEADSILICON SOT-23-3L S-P -20 -9 -0.7 18 24 ±12
LM1K2009B LEADSILICON SOT-23-3L S-P -20 -9 -0.7 18 24 ±12
LM1K2305A LEADSILICON SOT-23-3L S-P -20 -5 -0.65 30 40 ±12
LM1K3415KA LEADSILICON SOT-23-3L S-P -20 -4.5 -0.65 30 40 ±10
LM4H2301A LEADSILICON SOT-23-6L S-P -20 -3 -0.7 54 70 ±12
LM4H3415KA LEADSILICON SOT-23-6L S-P -20 -4.5 -0.65 30 40 ±10
LMBC2301S LEADSILICON DFN1.2*1.2-3L S-P -20 -3.4 -0.7 42 55 ±12
LMEC2301X LEADSILICON DFN1212-3L S-P -20 -3.4 -0.7 42 55 ±12
LMBN140P02A LEADSILICON DFN2020-6L S-P -20 -11 -0.7 14 20 ±12
LMAB050P02A LEADSILICON PDFNWB3.3×3.3-8L S-P -20 -50 -0.6 5.5 8 ±12