在美国的限制下，中国正加速推动半导体自主化，一篇由中国顶尖芯片高管撰写的新文章概述了战略路线图。据《南华早报》报道，中国半导体行业的重要人物共同执笔，呼吁全国共同努力，开发国产替代荷兰芯片设备巨头 ASML 的方案，以应对美国制裁。
作者包括中国最大晶圆代工厂 SMIC 的联合创始人，以及中国领先 EDA 公司 Empyrean 的领导者、中国主要芯片设备供应商 北方华创 的负责人，以及学术研究人员。
正如报道所述，行业领导者表示，虽然中国在 EUV 激光器、双节平台和光学系统等领域取得了“突破”，但通过协调国家努力整合这些技术仍然是一个挑战，必须在运行至 2030 年的“十五五”规划期间解决。
科技领袖们还指出，一台 ASML EUV 光刻机包含超过 10 万个组件，这些组件来自约 5000 家供应商，而 ASML 主要扮演系统集成商的角色。他们认为，要打造“中国的 ASML”，因此需要协调全国范围内的努力，包括整合资金和人力资源。
同时，报告强调了行业领袖的观点，即中国的半导体产业仍然“规模小、分散且薄弱”。行业领袖表示，该领域包括超过 100 家 EDA 开发商、约 3600 家芯片设计公司，以及超过 180 家专注于晶圆制造设备的企业。
报告补充说，文章《构建独立可控的集成电路产业体系》发表在中国期刊《科技评论》2023 年 2 月刊上。在该文中，行业领袖表示，美国已在三个关键领域试图遏制中国的崛起：用于芯片设计的 EDA 工具、硅晶圆和制造设备——尤其是 EUV 光刻技术。
中国持续推进 EUV 技术攻关，同时测试 DUV 作为替代方案
中国发展本土 EUV 光刻能力的努力仍在继续。据路透社报道，消息人士称中国于 2025 年底使用从老式 ASML 系统中获取的部件组装了一台 EUV 原型机。报道补充称，中国政府计划在 2028 年前用该原型机生产功能芯片，尽管 2030 年被广泛视为一个更现实的时间表。
除了 EUV 努力外，中国还在探索 DUV 光刻作为一种潜在的替代方案。据媒体报道，国内企业报告了曝光性能的改进，南京吉艾光电将晶圆内线宽变化从±2.1 纳米减少到±0.8 纳米，这有可能将良率提高 5-8%。报道暗示这可能表明使用 DUV 生产 3 纳米芯片的进展，尽管大规模生产仍不确定。