主页产品 新型功率器件 碳化硅MOSFET

碳化硅MOSFET

碳化硅(Silicon carbide,Sic)是一种半导体，被用于越来越多的电子元件。碳化硅 MOSFET 就是一个很好的例子，通常简称为碳化硅 FET。这些碳化硅、SiC MOSFET 或 SiC FET 比其硅等效电子元件在性能上提供了一些有用的改进。从本质上讲，这些 SiC MOSFET 比硅同类产品提供更高的阻断电压、更低的导通电阻和更高的导热性。

制造商
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封装
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VDS/V
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RDS/mΩ
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可用碳化硅MOSFET型号：{{totalCount}}个
型号 制造商 封装 VDS/V ID/A RDS/mΩ PD/W
LGE3M1K170B LGE TO-247-3 1700 5 1000 69
LGE3M14120Q LGE TO-247-4 1200 152 14 625
LGE3M18120Q LGE TO-247-4 1200 105 18 428
LGE3M20120Q LGE TO-247-4 1200 100 20 428
LGE3M25120Q LGE TO-247-4 1200 90 25 370
LGE3M28065Q LGE TO-247-4 650 95 28 326
LGE3M30065B LGE TO-247-3 650 91 30 326
LGE3M30065Q LGE TO-247-4 650 92 28 326
LGE3M35120B LGE TO-247-3 1200 69 33 330
LGE3M35120Q LGE TO-247-4 1200 69 33 300
LGE3M40065B LGE TO-247-3 650 72 40 348
LGE3M40065Q LGE TO-247-4 650 72 40 348
LGE3M40120Q LGE TO-247-4 1200 59 40 300
LGE3M45170B LGE TO-247-3 1700 72 45 520
LGE3M45170Q LGE TO-247-4 1700 72 45 520
LGE3M50120B LGE TO-247-3 1200 58 50 327
LGE3M50120Q LGE TO-247-4 1200 58 50 344
LGE3M50330Q LGE TO-247-4 3300 68 50 560
LGE3M60065Q LGE TO-247-4 650 51 59 208
LGE3M70120J LGE TO-263-7 1200 36 68 192