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制造商
厂商型号
封装
描述
LEADSILICON(上海领矽半导体有限公司)
LM1Q850C10A
SOP8
N+P 100-100/V 4-2.8/A 1.8--2/V 85-220 100-260 90-230 130-290 ±20-±20/V
我要询价LM1Q850C10A规格参数 |
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|---|---|---|---|
| Type | 中压MOSFET | ||
| RoHS | |||
| 制造商 | LEADSILICON | ||
| 类型 | N+P | ||
| VDS_Max/V | 100-100 | ||
| ID_Max /A | 4-2.8 | ||
| VGS(th)Typ/V | 1.8--2 | ||
| RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V | 85-220 | ||
| RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V | 100-260 | ||
| RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 4.5V | 90-230 | ||
| RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V | 130-290 | ||
| VGS_Max/V | ±20-±20 | ||