主页产品 MOSFET 中压MOSFET LGCB029N10A

LGCB029N10A

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制造商

厂商型号

封装

描述

LEADSILICON(上海领矽半导体有限公司)

LGCB029N10A

TO-263-2L

S-N 100/V 170/A 1.5/V 2.8 3.5 3.5 4.7 ±20/V

LGCB029N10A规格参数
	Type	中压MOSFET
	RoHS
	制造商	LEADSILICON
	类型	S-N
	VDS_Max/V	100
	ID_Max /A	170
	VGS(th)Typ/V	1.5
	RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V	2.8
	RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V	3.5
	RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 4.5V	3.5
	RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V	4.7
	VGS_Max/V	±20