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中压MOSFET

中压MOSFET(Medium-voltage MOSFET)在电压和电流能力之间取得了平衡,是工业应用中最常见的类型。漏源电压(Vds)通常为200V, 300V, 400V, 500V, 600V。超结技术是其革命性的进步,它通过在传统的漂移区中插入P型柱,实现了比传统平面结构更低的导通电阻和更快的开关速度。

制造商
VDS_Max/V
-
ID_Max /A
-
VGS(th)Typ/V
-
RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V
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RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V
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RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 4.5V
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RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V
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VGS_Max/V
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可用中压MOSFET型号:{{totalCount}}
型号 制造商 封装 类型 VDS_Max/V ID_Max /A VGS(th)Typ/V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 4.5V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V VGS_Max/V
SSC8LA4GT8 AF TO-252-2L Single N 100 9.8 1.6 105 ±20
SSC80A4GS6 AF SOT-23 Single N 100 2.2 1.5 240 ±20
SSC8LA6GN6 AF PDFN5X6 Single N 100 43 1.7 13 ±20
SSC8LA6GT8 AF TO-252-2L Single N 100 45 1.7 15 ±20
SSC8LA12GN6 AF PDFN5X6 Single N 100 110 2 3.6 ±20
SSC8LA12GT4 AF TO-220-3L Single N 100 150 2 3.6 ±20
SSC8LA14GT6 AF TO-263-2L Single N 100 300 3.1 1.5 ±20
SSC8LA16GN6 AF PDFN5X6-8L Single N 100 40 1.3 20 ±20
SSC8LA18GT4 AF TO-220-3L Single N 100 180 3.2 2.95 ±20
SSC8LA20GT6 AF TO-263-2L Single N 100 120 3.1 3.5 ±20
SSC8LA20GT4 AF TO-220-3L Single N 100 88 2.9 4.2 ±20
SSC8LA22GN6 AF PDFN5X6-8L Single N 100 112 2.2 4.4 ±20
SSC8LA24GN6 AF PDFN5X6-8L Single N 100 110 3 4.8 ±20
SSC8LA24GT4 AF TO-220-3L Single N 100 126 3 5.4 ±20
SSC8LA24GT6 AF TO-263-3L Single N 100 104 3 4.8 ±20
SSC8LA28GT4 AF TO-220-3L Single N 120 102 3.5 7 ±20
SSC8LA30TN4 AF PDFN3.3X3.3-8L Single N 100 38 1.7 11.8 ±20
SSC8LA32GN6 AF PDFN5X6-8L Single N 100 81 1.7 5.4 ±20
SSC80A3GT8 AF TO-252-2L Single P -100 -35 -2 33 ±20
SSC8LA8GN6 AF PDFN5X6 Single N 120 78 3 6.5 ±20