主页产品 MOSFET 中压MOSFET

中压MOSFET

中压MOSFET（Medium-voltage MOSFET）在电压和电流能力之间取得了平衡，是工业应用中最常见的类型。漏源电压（Vds）通常为200V, 300V, 400V, 500V, 600V。超结技术是其革命性的进步，它通过在传统的漂移区中插入P型柱，实现了比传统平面结构更低的导通电阻和更快的开关速度。

制造商
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封装
{{item}}
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类型
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VDS_Max/V
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{{item}}
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VGS(th)Typ/V
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{{item}}
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RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V
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{{item}}
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RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V
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{{item}}
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RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 4.5V
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{{item}}
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RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V
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{{item}}
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VGS_Max/V
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{{item}}
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可用中压MOSFET型号：{{totalCount}}个
型号 制造商 封装 类型 VDS_Max/V ID_Max /A VGS(th)Typ/V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 4.5V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V VGS_Max/V
SSC8LA10GN6 AF PDFN5X6-8L Single N 100 43 2 17 ±20
SSC8LA10GT8 AF TO-252-2L Single N 120 40 1.7 19 ±20
SSC80B0GN6 AF PDFN5X6-8L Single N 150 60 3.7 9 ±20
BSS123 LEADSILICON SOT-23 S-N 100 0.17 1.8 4000 6000 4500 8000 ±20
BSS123K LEADSILICON SOT-23 S-N 100 0.17 1.4 3000 4500 3200 6000 ±20
LG2E03N10A LEADSILICON SOT-23 S-N 100 3.3 1.6 95 130 135 190 ±20
LM2E2N10A LEADSILICON SOT-23 S-N 100 2 1.7 190 230 210 250 ±20
LG1Q064N10A LEADSILICON SOP8 S-N 100 20 2 7.5 9.5 9.5 13 ±20
LG1Q125N10A LEADSILICON SOP8 S-N 100 12 1.8 13 17 18 25 ±20
LG1Q950N10A LEADSILICON SOP8 S-N 100 3.5 1.6 95 130 135 190 ±20
LM1Q950N10A LEADSILICON SOP8 S-N 100 4 1.7 95 110 100 130 ±20
LMAC220N10A LEADSILICON PDFNWB5×6-8L S-N 100 40 3 22 28 ±20
LMAC370N10A LEADSILICON PDFNWB5×6-8L S-N 100 20 1.5 37 48 39 55 ±20
LM1U240N10A LEADSILICON TO-252-2L S-N 100 35 1.2 24 35 27 40 ±20
LM1U300N10A LEADSILICON TO-252-2L S-N 100 30 3 30 38 ±20
LM1U400N10A LEADSILICON TO-252-2L S-N 100 25 1.5 40 55 45 60 ±20
LM1U950N10A LEADSILICON TO-252-2L S-N 100 15 1.7 95 110 100 130 ±20
LM1P300N10A LEADSILICON TO-220C S-N 100 30 3 30 38 ±20
LM1P400N10A LEADSILICON TO-220C S-N 100 25 1.5 40 55 45 60 ±20
LM1P950N10A LEADSILICON TO-220C S-N 100 15 1.7 95 110 100 130 ±20