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中压MOSFET

中压MOSFET(Medium-voltage MOSFET)在电压和电流能力之间取得了平衡,是工业应用中最常见的类型。漏源电压(Vds)通常为200V, 300V, 400V, 500V, 600V。超结技术是其革命性的进步,它通过在传统的漂移区中插入P型柱,实现了比传统平面结构更低的导通电阻和更快的开关速度。

制造商
VDS_Max/V
-
ID_Max /A
-
VGS(th)Typ/V
-
RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V
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RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V
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RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 4.5V
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RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V
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VGS_Max/V
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可用中压MOSFET型号:{{totalCount}}
型号 制造商 封装 类型 VDS_Max/V ID_Max /A VGS(th)Typ/V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 4.5V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V VGS_Max/V
SSC8L422GN6 AF PDFN5X6-8L Single N 40 110 2.5 3.2 ±20
SSC8L40PN6 AF PDFN5X6-8L Single N 40 222 1.8 1.2 ±20
SSC8L42PN6 AF PDFN5X6 Single N 40 150 1.9 1 ±20
SSC8047GN4 AF PDFN3.3X3.3-8L Single P -40 -30 -1.8 17 ±20
SSC8040GS6 AF SOT-23 Single N 40 9 1.5 24 ±20
SSC8040GN4 AF PDFN3.3X3.3-8L Single N 40 27 1.5 21 ±20
SSC8042GS6 AF SOT23 Single N 40 4 1.5 36 ±20
SSC8046GQ4 AF DFN3X3 Single N 40 36 1.6 8 ±20
SSC8046GN4 AF PDFN3.3x3.3-8L Single N 40 40 1.8 9 ±20
SSC8048GQ4 AF DFN3X3 Single N 40 38 1.8 7.2 ±20
SSC8048GN6 AF PDFN5X6 Single N 40 60 1.8 6.5 ±20
SSC8048GN4 AF PDFN3.3X3.3-8L Single N 40 40 1.5 7.5 ±20
SSC8048GT8 AF TO252-2L Single N 40 60 1.5 6.6 ±20
SSC8140GN6 AF PDFN5X6 Single N 40 78 1.5 4 ±20
SSC8140GQ4 AF DFN3X3 Single N 40 52 1.5 5.8 ±20
SSC8140GT8 AF TO252 Single N 40 96 1.5 4.7 ±20
SSCL035N40TN4 AF PDFN3.3X3.3-8L Single N 40 85 1.6 3.5 ±20
SSCL70N100GS6A AF SOT-23-3L Single N 100 3.2 1.8 70 ±20
SSC8144GN6 AF PDFN5X6 Single N 45 117 2.9 2.5 ±20
SSC8041GN4 AF PDFN3.3X3.3-8L Single P -40 -36 -2.1 9 ±20