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中压MOSFET

中压MOSFET(Medium-voltage MOSFET)在电压和电流能力之间取得了平衡,是工业应用中最常见的类型。漏源电压(Vds)通常为200V, 300V, 400V, 500V, 600V。超结技术是其革命性的进步,它通过在传统的漂移区中插入P型柱,实现了比传统平面结构更低的导通电阻和更快的开关速度。

制造商
VDS_Max/V
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ID_Max /A
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VGS(th)Typ/V
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RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V
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RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V
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RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 4.5V
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RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V
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VGS_Max/V
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可用中压MOSFET型号:{{totalCount}}
型号 制造商 封装 类型 VDS_Max/V ID_Max /A VGS(th)Typ/V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 4.5V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V VGS_Max/V
RS80N25W REASUNOS TO-247 N 250 80 30 35
TK2N7002 CTK SOT-23 N 60 0.115 1~2.5 900 2500 ±20
TK2N7002K CTK SOT-23 N 60 0.34 1~2.5 900 2500 ±20
TKBSS138 CTK SOT-23 N 50 0.22 0.8~1.5 880 3500 ±20
TKBSS84 CTK SOT-23 P -50 -0.13 -0.9~-2 4500 8000 ±20
TKBSS123 CTK SOT-23 N 100 0.17 1~2.8 3500 6000 ±20
TKMN2300 CTK SOT-23 N 60 3 0.5~2 82 105 ±20
TKMN2310 CTK SOT-23 N 60 3 0.5~2 82 105 ±20
TKMN2310A CTK SOT-23 N 60 3 1.0-2 78 100 ±20
SSC8L48PN6 AF PDFN5X6-8L Single N 40 245 2 0.69 ±20
SSC8L410GN4 AF PDFN3.3X3.3 Single N 40 47 1.5 6 ±20
SSC8L410GN6 AF PDFN5X6 Single N 40 61 1.4 4.5 ±20
SSC8L410TN6 AF PDFN5X6-8L Single N 40 70 1.5 5.9 ±20
SSC8L410GT8 AF TO-252-2L Single N 40 95 1.5 4.3 ±20
SSC8L410GS1 AF SOP-8 Single N 40 41 1.5 4.4 ±20
SSC8L412PN6 AF PDFN3.3X3.3-8L Single N 40 170 1.7 1.4 ±20
SSC8L414TN4 AF PDFN3.3X3.3-8L Single N 40 50 1.6 6.3 ±20
SSC8L420GN6 AF PDFN5X6-8L Single N 40 110 1.4 2.5 ±20
SSC8L420PN6 AF PDFN5X6-8L Single N 40 116 1.4 2.3 ±20
SSC8L420GT8 AF TO-252-2L Single N 40 120 1.4 2.4 ±20