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LEADSILICON 低压MOSFET

低压 MOSFET （Low-voltage MOSFET）是多种电流应用中必不可少的电子元件，因为它们能够以低功率损耗切换大电流。它们在低电压下工作，设计为在漏源电压（Vds）通常低于 200 V 下工作。在消费电子、电信、工业自动化、能源管理系统、稳压器和电源等领域尤为常见。低压 MOSFET具有与高压设计相同的功能。它们非常适合需要高效率和处理大电流能力的应用，即使在电源电压非常低的情况下也是如此。

可用LEADSILICON低压MOSFET型号：214个
型号 品牌 类型 VDS_Max/V ID_Max/A VGS(th)Typ/V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS4.5V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V VGS_Max/V 封装
LMAB140P02A LEADSILICON S-P -20 -25 -0.7 14 20 ±12 PDFNWB3.3×3.3-8L
LM1U050P02A LEADSILICON S-P -20 -50 -0.65 5 7.5 ±12 TO-252-2L
LM1U050P02B LEADSILICON S-P -20 -50 -0.65 5 7.5 ±12 TO-252-2L
LMDW3139K LEADSILICON D-P -20 -0.5 -0.65 600 800 ±10 SOT-363
LMDX3139K LEADSILICON D-P -20 -0.5 -0.65 600 800 ±10 SOT-563
LMDW2301B LEADSILICON D-P -20 -2 -0.7 90 120 ±12 SOT-363
LM1Q4953D LEADSILICON D-P -20 -3 -0.7 85 110 ±12 SOP8
LM1Q140P02DA LEADSILICON D-P -20 -8 -0.7 14 20 ±12 SOP8
LMDN600P02DA LEADSILICON D-P -20 #REF! -0.7 60 90 ±12 DFNWB2*2-6L-U
LM1E2301B LEADSILICON S-P -20 -1.8 -0.7 90 120 12 SOT-523
LM2N2301C LEADSILICON S-P -20 -1.5 -0.7 125 160 12 DFN1006-3L
LM2E2301S LEADSILICON S-P -20 -4 -0.7 35 45 12 SOT-23
LM2N3139KB LEADSILICON S-P -20 -0.8 -0.7 400 500 ±10 DFN1006-3L
LM1E3139KB LEADSILICON S-P -20 -0.5 -0.65 600 800 ±10 SOT-523
LM1K2305E LEADSILICON S-P -20 -7 -0.7 18 26 ±12 SOT-23-3L
LM2E3415K LEADSILICON S-P -20 -4.5 -0.65 30 40 ±10 SOT-23
LMDW2429A LEADSILICON N+P 20--20 1.5--1 0.65--0.7 50-120 70-150 ±12-±12 SOT-363
LMAH500C02A LEADSILICON N+P 20--20 2--1.5 0.65--0.7 50-130 70-160 ±12-±12 SOT-23-6L
LMDN180C02A LEADSILICON N+P 20--20 6--6 0.65--0.65 18-30 27-40 ±12-±12 DFNWB2*2-6L-U
LM2N3144K LEADSILICON S-N 30 0.6 1 320 500 ±20 DFN1006-3L
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