主页产品 MOSFET 低压MOSFET LEADSILICON

LEADSILICON 低压MOSFET

低压 MOSFET （Low-voltage MOSFET）是多种电流应用中必不可少的电子元件，因为它们能够以低功率损耗切换大电流。它们在低电压下工作，设计为在漏源电压（Vds）通常低于 200 V 下工作。在消费电子、电信、工业自动化、能源管理系统、稳压器和电源等领域尤为常见。低压 MOSFET具有与高压设计相同的功能。它们非常适合需要高效率和处理大电流能力的应用，即使在电源电压非常低的情况下也是如此。

可用LEADSILICON低压MOSFET型号：214个
型号 品牌 类型 VDS_Max/V ID_Max/A VGS(th)Typ/V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS4.5V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V VGS_Max/V 封装
LMAC031N02A LEADSILICON S-N 20 90 0.65 3.1 4.5 ±12 PDFNWB5×6-8L
LMAC045N02A LEADSILICON S-N 20 60 0.6 4.5 6.5 ±12 PDFNWB5×6-8L
LM1U021N02A LEADSILICON S-N 20 120 0.65 2.1 2.8 ±10 TO-252-2L
LM1U031N02A LEADSILICON S-N 20 90 0.65 3.1 4.5 ±12 TO-252-2L
LM1U045N02A LEADSILICON S-N 20 60 0.6 4.5 6.5 ±12 TO-252-2L
LM1U045N02C LEADSILICON S-N 20 60 0.6 4.5 6.5 ±12 TO-252-2L
LM1U080N02A LEADSILICON S-N 20 40 0.65 8 12 ±12 TO-252-2L
LMDW3134K LEADSILICON D-N 20 0.75 0.7 200 350 ±10 SOT-363
LMDX3134K LEADSILICON D-N 20 0.75 0.7 200 350 ±10 SOT-563
LM4H8205A LEADSILICON D-N 20 5 0.65 18.5 23 ±12 SOT-23-6L
LM4H8205B LEADSILICON D-N 20 4.2 0.65 19 25 ±12 SOT-23-6L
LM4H8810KA LEADSILICON D-N 20 7 0.7 12 16 ±12 SOT-23-6L
LMDQ9926A LEADSILICON D-N 20 6 0.65 20 27 ±12 SOP8
LM1S8205A LEADSILICON D-N 20 4.5 0.65 21 25 ±12 TSSOP8
LM1S8810KX LEADSILICON D-N 20 7 0.65 17 ±12 TSSOP8
LM1S8820A LEADSILICON D-N 20 7 0.65 12 20 ±12 TSSOP8
LMBD045N02DA LEADSILICON D-N 20 60 0.6 4.5 6.5 ±12 DFNWB2*2-6L-U
LMBD080N02DA LEADSILICON D-N 20 15 0.65 8 12 ±12 PDFNWB3.3×3.3-8L-B
LM2N3134KB LEADSILICON S-N 20 0.75 0.7 200 350 ±10 DFN1006-3L
LMDE3134K LEADSILICON D-N 20 0.75 0.7 200 350 ±10 DFN1.0*1.0*0.35-6L
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