主页产品 MOSFET 低压MOSFET LEADSILICON

LEADSILICON 低压MOSFET

低压 MOSFET （Low-voltage MOSFET）是多种电流应用中必不可少的电子元件，因为它们能够以低功率损耗切换大电流。它们在低电压下工作，设计为在漏源电压（Vds）通常低于 200 V 下工作。在消费电子、电信、工业自动化、能源管理系统、稳压器和电源等领域尤为常见。低压 MOSFET具有与高压设计相同的功能。它们非常适合需要高效率和处理大电流能力的应用，即使在电源电压非常低的情况下也是如此。

可用LEADSILICON低压MOSFET型号：214个
型号 品牌 类型 VDS_Max/V ID_Max/A VGS(th)Typ/V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS4.5V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V VGS_Max/V 封装
LGAC012N03A LEADSILICON S-N 30 160 1.5 1.2 1.6 1.5 2.2 ±20 PDFNWB5×6-8L
LGAC014N03A LEADSILICON S-N 30 150 1.5 1.4 1.8 1.9 2.5 ±20 PDFNWB5×6-8L
LGAM003N03A LEADSILICON S-N 30 500 1.6 0.3 0.42 0.5 0.8 ±20 PDFN8*8
LGLL003N03A LEADSILICON S-N 30 500 1.6 0.3 0.42 0.5 0.8 ±20 TOLL
LGLL007N03A LEADSILICON S-N 30 300 1.6 0.7 0.98 1 1.5 ±20 TOLL
LGSL003N03A LEADSILICON S-N 30 300 1.6 0.3 0.42 0.5 0.8 ±20 sTOLL
LGBM007N03A LEADSILICON S-N 30 300 1.6 0.7 0.98 1 1.5 ±20 TO-263-7L
LMDN3400L LEADSILICON D-N 30 5 0.9 22 30 26 36 ±12 DFNWB2*2-6L-U
LMDN3400A LEADSILICON D-N 30 6 0.9 20 28 22 30 ±12 DFNWB2*2-6L-U
LMBD040N03DA LEADSILICON D-N 30 25 1.5 4.5 5.5 6.5 10 ±20 DFNWB2*2-6L-U
LMBD060N03DA LEADSILICON D-N 30 30 1.6 9 12 13 17 ±20 PDFNWB3.3×3.3-8L-B
LM1K3400Z LEADSILICON S-N 30 5.8 0.9 22 28 23 30 ±12 SOT-23-3L
LM2N3541K LEADSILICON S-N 30 0.3 1.1 1800 3500 2000 4000 ±20 DFN1006-3L
LM1U040N03D LEADSILICON S-N 30 80 1.5 4.2 5.3 6.5 8.5 ±20 TO-252-2L
LM1U040N03Y LEADSILICON S-N 30 80 1.5 4.5 5.5 6.5 10 ±20 TO-252-2L
LM1U040N03N LEADSILICON S-N 30 80 1.5 3.8 5 6 8 ±20 TO-252-2L
LM2E3007A LEADSILICON S-P -30 -7 -1.6 16 21 23 30 ±20 SOT-23
LM2E3407 LEADSILICON S-P -30 -4.1 -1.5 40 55 60 80 ±20 SOT-23
LM2E3407A LEADSILICON S-P -30 -4.1 -1.5 40 55 60 80 ±20 SOT-23
LM2E3401A LEADSILICON S-P -30 -4.2 -0.9 45 55 54 68 ±12 SOT-23
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