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制造商
厂商型号
封装
描述
LEADSILICON(上海领矽半导体有限公司)
LMDN180C02A
DFNWB2*2-6L-U
N+P 20--20/V 6--6/A 0.65--0.65/V 18-30 27-40 ±12-±12/V
我要询价LMDN180C02A规格参数 |
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|---|---|---|---|
| Type | 低压MOSFET | ||
| RoHS | |||
| 制造商 | LEADSILICON | ||
| 类型 | N+P | ||
| VDS_Max/V | 20--20 | ||
| ID_Max/A | 6--6 | ||
| VGS(th)Typ/V | 0.65--0.65 | ||
| RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V | |||
| RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V | |||
| RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS4.5V | 18-30 | ||
| RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V | 27-40 | ||
| VGS_Max/V | ±12-±12 | ||