主页产品 MOSFET 低压MOSFET LEADSILICON

LEADSILICON 低压MOSFET

低压 MOSFET （Low-voltage MOSFET）是多种电流应用中必不可少的电子元件，因为它们能够以低功率损耗切换大电流。它们在低电压下工作，设计为在漏源电压（Vds）通常低于 200 V 下工作。在消费电子、电信、工业自动化、能源管理系统、稳压器和电源等领域尤为常见。低压 MOSFET具有与高压设计相同的功能。它们非常适合需要高效率和处理大电流能力的应用，即使在电源电压非常低的情况下也是如此。

可用LEADSILICON低压MOSFET型号：214个
型号 品牌 类型 VDS_Max/V ID_Max/A VGS(th)Typ/V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS4.5V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V VGS_Max/V 封装
LM1K150P02A LEADSILICON S-P -16 -7 -0.62 18 24 ±10 SOT-23-3L
LMAA3134K LEADSILICON S-N 20 0.75 0.7 200 350 ±10 WBFBP-03E
LM2N3134K LEADSILICON S-N 20 0.75 0.7 200 350 ±10 DFN1006-3L
LMBB3134K LEADSILICON S-N 20 0.75 0.7 200 350 ±10 DFN1006-3L-A
LM2E3134K LEADSILICON S-N 20 0.75 0.7 200 350 ±10 SOT-23
LM1W3134K LEADSILICON S-N 20 0.75 0.7 200 350 ±10 SOT-323
LM1E3134K LEADSILICON S-N 20 0.75 0.7 200 350 ±10 SOT-523
LM1M3134K LEADSILICON S-N 20 0.75 0.7 200 350 ±10 SOT-723
LM2E2302 LEADSILICON S-N 20 4 0.65 22 28 ±10 SOT-23
LM2E2302A LEADSILICON S-N 20 4 0.65 22 28 ±10 SOT-23
LM2E2302B LEADSILICON S-N 20 3.5 0.65 35 48 ±12 SOT-23
LM2E2302C LEADSILICON S-N 20 3 0.65 50 70 ±12 SOT-23
LM2E2302S LEADSILICON S-N 20 4.3 0.65 19 27 ±12 SOT-23
LM2E2312A LEADSILICON S-N 20 6.8 0.65 15 20 ±12 SOT-23
LM2E3416KA LEADSILICON S-N 20 7 0.65 15 22 ±12 SOT-23
LM2E8810A LEADSILICON S-N 20 7 0.7 13 17 ±12 SOT-23
LM1K2008A LEADSILICON S-N 20 8 0.65 11 15 ±12 SOT-23-3L
LM1K3416KA LEADSILICON S-N 20 7 0.65 15 22 ±12 SOT-23-3L
LMAB031N02A LEADSILICON S-N 20 60 0.65 3.1 4.5 ±12 PDFNWB3.3×3.3-8L
LMAC021N02A LEADSILICON S-N 20 120 0.65 2.1 2.8 ±10 PDFNWB5×6-8L
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