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LEADSILICON 低压MOSFET

低压 MOSFET （Low-voltage MOSFET）是多种电流应用中必不可少的电子元件，因为它们能够以低功率损耗切换大电流。它们在低电压下工作，设计为在漏源电压（Vds）通常低于 200 V 下工作。在消费电子、电信、工业自动化、能源管理系统、稳压器和电源等领域尤为常见。低压 MOSFET具有与高压设计相同的功能。它们非常适合需要高效率和处理大电流能力的应用，即使在电源电压非常低的情况下也是如此。

可用LEADSILICON低压MOSFET型号：214个
型号 品牌 类型 VDS_Max/V ID_Max/A VGS(th)Typ/V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS4.5V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V VGS_Max/V 封装
BSS139 LEADSILICON S-N 30 0.1 1.1 1500 3500 2000 4000 ±20 SOT-23
LM2E3144K LEADSILICON S-N 30 0.6 1 320 500 ±20 SOT-23
2SK3019 LEADSILICON S-N 30 0.1 1.1 1500 3500 2000 4000 ±20 SOT-523
LM1M3541K LEADSILICON S-N 30 0.3 1.2 1400 2000 1600 2500 ±20 SOT-723
LM2E3404A LEADSILICON S-N 30 5.8 1.5 18 25 24 35 ±20 SOT-23
LM2E3400 LEADSILICON S-N 30 5.8 0.9 22 28 23 30 ±12 SOT-23
LM2E3400A LEADSILICON S-N 30 5.8 0.9 22 28 23 30 ±12 SOT-23
LM2E3400B LEADSILICON S-N 30 5.8 0.9 22 28 23 30 ±12 SOT-23
LM2E3400L LEADSILICON S-N 30 4.5 0.9 24 32 27 36 ±12 SOT-23
LM2E3404L LEADSILICON S-N 30 5 1.5 25 35 35 45 ±20 SOT-23
LM2E2304A LEADSILICON S-N 30 3.6 1.6 26 35 39 55 ±20 SOT-23
LM2E3402 LEADSILICON S-N 30 3 0.9 35 44 40 55 ±12 SOT-23
LM2E3402L LEADSILICON S-N 30 2 0.9 90 113 115 144 ±12 SOT-23
LM1K3008A LEADSILICON S-N 30 8 1.5 12 16 15 20 ±20 SOT-23-3L
LM1K3400A LEADSILICON S-N 30 5.8 0.9 22 28 23 30 ±12 SOT-23-3L
LM1K3400B LEADSILICON S-N 30 5.8 0.9 22 28 23 30 ±12 SOT-23-3L
LM4H3400A LEADSILICON S-N 30 6 0.9 20 28 22 30 ±12 SOT-23-6L
LM4H3404A LEADSILICON S-N 30 5.8 1.5 18 25 24 35 ±20 SOT-23-6L
LM4H3008A LEADSILICON S-N 30 8 1.5 10 15 12 18 ±20 SOT-23-6L
LM1Q025N03A LEADSILICON S-N 30 30 1.5 3 4 4 6 ±20 SOP8
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