主页产品 MOSFET 低压MOSFET LEADSILICON

LEADSILICON 低压MOSFET

低压 MOSFET （Low-voltage MOSFET）是多种电流应用中必不可少的电子元件，因为它们能够以低功率损耗切换大电流。它们在低电压下工作，设计为在漏源电压（Vds）通常低于 200 V 下工作。在消费电子、电信、工业自动化、能源管理系统、稳压器和电源等领域尤为常见。低压 MOSFET具有与高压设计相同的功能。它们非常适合需要高效率和处理大电流能力的应用，即使在电源电压非常低的情况下也是如此。

可用LEADSILICON低压MOSFET型号：214个
型号 品牌 类型 VDS_Max/V ID_Max/A VGS(th)Typ/V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS4.5V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V VGS_Max/V 封装
LM2E2301 LEADSILICON S-P -20 -3 -0.7 54 70 ±12 SOT-23
LM2E2301A LEADSILICON S-P -20 -3 -0.7 54 70 ±12 SOT-23
LM2E2301B LEADSILICON S-P -20 -2 -0.7 90 120 ±12 SOT-23
LM2E2301C LEADSILICON S-P -20 -1.5 -0.7 125 160 ±12 SOT-23
LM2E2305A LEADSILICON S-P -20 -5 -0.65 30 40 ±12 SOT-23
LM2E3415KA LEADSILICON S-P -20 -4.5 -0.65 30 40 ±10 SOT-23
LM1W2101A LEADSILICON S-P -20 -1.6 -0.7 60 90 ±12 SOT-323
LM1W2301B LEADSILICON S-P -20 -2 -0.7 100 130 ±12 SOT-323
LM1W2301C LEADSILICON S-P -20 -1.2 -0.7 130 170 ±12 SOT-323
LM1K2006A LEADSILICON S-P -20 -6 -0.6 20 28 ±12 SOT-23-3L
LM1K2009A LEADSILICON S-P -20 -9 -0.7 18 24 ±12 SOT-23-3L
LM1K2009B LEADSILICON S-P -20 -9 -0.7 18 24 ±12 SOT-23-3L
LM1K2305A LEADSILICON S-P -20 -5 -0.65 30 40 ±12 SOT-23-3L
LM1K3415KA LEADSILICON S-P -20 -4.5 -0.65 30 40 ±10 SOT-23-3L
LM4H2301A LEADSILICON S-P -20 -3 -0.7 54 70 ±12 SOT-23-6L
LM4H3415KA LEADSILICON S-P -20 -4.5 -0.65 30 40 ±10 SOT-23-6L
LMBC2301S LEADSILICON S-P -20 -3.4 -0.7 42 55 ±12 DFN1.2*1.2-3L
LMEC2301X LEADSILICON S-P -20 -3.4 -0.7 42 55 ±12 DFN1212-3L
LMBN140P02A LEADSILICON S-P -20 -11 -0.7 14 20 ±12 DFN2020-6L
LMAB050P02A LEADSILICON S-P -20 -50 -0.6 5.5 8 ±12 PDFNWB3.3×3.3-8L
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