主页产品 MOSFET 低压MOSFET LEADSILICON

LEADSILICON 低压MOSFET

低压 MOSFET （Low-voltage MOSFET）是多种电流应用中必不可少的电子元件，因为它们能够以低功率损耗切换大电流。它们在低电压下工作，设计为在漏源电压（Vds）通常低于 200 V 下工作。在消费电子、电信、工业自动化、能源管理系统、稳压器和电源等领域尤为常见。低压 MOSFET具有与高压设计相同的功能。它们非常适合需要高效率和处理大电流能力的应用，即使在电源电压非常低的情况下也是如此。

可用LEADSILICON低压MOSFET型号：214个
型号 品牌 类型 VDS_Max/V ID_Max/A VGS(th)Typ/V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS4.5V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V VGS_Max/V 封装
LMAC075P03A LEADSILICON S-P -30 -50 -1.5 7.5 10 11.5 14 ±20 PDFNWB5×6-8L
LMAC085P03A LEADSILICON S-P -30 -45 -1.5 8.5 11 12 16 ±20 PDFNWB5×6-8L
LMAC110P03A LEADSILICON S-P -30 -30 -1.6 12 16 20 26 ±20 PDFNWB5×6-8L
LM1U020P03A LEADSILICON S-P -30 -150 -1.6 2 3 3 4.5 ±20 TO-252-2L
LM1U035P03A LEADSILICON S-P -30 -120 -1.7 3.5 4.5 5.5 7 ±20 TO-252-2L
LM1U060P03A LEADSILICON S-P -30 -60 -1.5 6 7.5 8.5 11 ±20 TO-252-2L
LM1U075P03A LEADSILICON S-P -30 -55 -1.5 7.5 10 11.5 14 ±20 TO-252-2L
LM1U085P03A LEADSILICON S-P -30 -50 -1.5 8.5 11 12 16 ±20 TO-252-2L
LM1U090P03A LEADSILICON S-P -30 -50 -1.5 9 12 13 17 ±20 TO-252-2L
LM1U110P03A LEADSILICON S-P -30 -30 -1.6 12 16 20 26 ±20 TO-252-2L
LM1Q110P03DA LEADSILICON D-P -30 -10 -1.6 14 18 21 28 ±20 SOP8
LM1Q4953B LEADSILICON D-P -30 -5 -1.5 35 50 45 65 ±20 SOP8
LM1Q4953A LEADSILICON D-P -30 -5 -1.5 40 55 60 80 ±20 SOP8
LMDQ300C03A LEADSILICON N+P 30--30 4-3.5 1.5--1.5 30-70 40-95 40-100 55-135 ±20-±20 SOP8
LMBD110C03A LEADSILICON N+P 30--30 20--15 1.5--1.5 12.0-25 15-32 15-37 20-50 ±20-±20 PDFNWB3.3×3.3-8L-B
LMDU060C03A LEADSILICON N+P 30--30 40--55 1.6--1.5 6-7.5 9.0-10.0 10-11.5 15-15 ±20-±20 TO-252-4L
LM4H8205L LEADSILICON D-N 16 4 0.65 22 34 ±10 SOT-23-6L
LM4H8205C LEADSILICON D-N 16 4 0.65 21 30 ±10 SOT-23-6L
LM2E2333A LEADSILICON S-P -16 -6 -0.65 19 28 ±8 SOT-23
LM1K2333A LEADSILICON S-P -16 -6 -0.65 19 28 ±8 SOT-23-3L
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