暂无图片
制造商
厂商型号
封装
描述
LEADSILICON(上海领矽半导体有限公司)
LMDW2429A
SOT-363
N+P 20--20/V 1.5--1/A 0.65--0.7/V 50-120 70-150 ±12-±12/V
我要询价LMDW2429A规格参数 |
|||
|---|---|---|---|
| Type | 低压MOSFET | ||
| RoHS | |||
| 制造商 | LEADSILICON | ||
| 类型 | N+P | ||
| VDS_Max/V | 20--20 | ||
| ID_Max/A | 1.5--1 | ||
| VGS(th)Typ/V | 0.65--0.7 | ||
| RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V | |||
| RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V | |||
| RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS4.5V | 50-120 | ||
| RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V | 70-150 | ||
| VGS_Max/V | ±12-±12 | ||