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制造商
厂商型号
封装
描述
LEADSILICON(上海领矽半导体有限公司)
LMBD110C03A
PDFNWB3.3×3.3-8L-B
N+P 30--30/V 20--15/A 1.5--1.5/V 12.0-25 15-32 15-37 20-50 ±20-±20/V
我要询价LMBD110C03A规格参数 |
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|---|---|---|---|
| Type | 低压MOSFET | ||
| RoHS | |||
| 制造商 | LEADSILICON | ||
| 类型 | N+P | ||
| VDS_Max/V | 30--30 | ||
| ID_Max/A | 20--15 | ||
| VGS(th)Typ/V | 1.5--1.5 | ||
| RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V | 12.0-25 | ||
| RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V | 15-32 | ||
| RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS4.5V | 15-37 | ||
| RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V | 20-50 | ||
| VGS_Max/V | ±20-±20 | ||