主页产品 MOSFET 低压MOSFET LGBM007N03A

LGBM007N03A

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制造商

厂商型号

封装

描述

LEADSILICON(上海领矽半导体有限公司)

LGBM007N03A

TO-263-7L

S-N 30/V 300/A 1.6/V 0.7 0.98 1 1.5 ±20/V

LGBM007N03A规格参数
	Type	低压MOSFET
	RoHS
	制造商	LEADSILICON
	类型	S-N
	VDS_Max/V	30
	ID_Max/A	300
	VGS(th)Typ/V	1.6
	RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V	0.7
	RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V	0.98
	RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS4.5V	1
	RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V	1.5
	VGS_Max/V	±20