主页产品 MOSFET 中压MOSFET

中压MOSFET

中压MOSFET（Medium-voltage MOSFET）在电压和电流能力之间取得了平衡，是工业应用中最常见的类型。漏源电压（Vds）通常为200V, 300V, 400V, 500V, 600V。超结技术是其革命性的进步，它通过在传统的漂移区中插入P型柱，实现了比传统平面结构更低的导通电阻和更快的开关速度。

制造商
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封装
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类型
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VDS_Max/V
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VGS(th)Typ/V
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RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V
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RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V
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RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V
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VGS_Max/V
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可用中压MOSFET型号：{{totalCount}}个
型号 制造商 封装 类型 VDS_Max/V ID_Max /A VGS(th)Typ/V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 4.5V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V VGS_Max/V
BSS138 LEADSILICON SOT-23 S-N 50 0.22 1.1 700 1200 780 1500 ±20
BSS138KA LEADSILICON SOT-23 S-N 50 0.34 1.1 900 2500 1000 3000 ±20
LM1W138 LEADSILICON SOT-323 S-N 50 0.22 1.1 700 1200 780 1500 ±20
2SK3018 LEADSILICON SOT-323 S-N 50 0.3 1.9 950 2500 1000 3000 ±20
BSS84 LEADSILICON SOT-23 S-P -50 -0.13 -1.5 2200 5000 2500 6000 ±20
LM2N7002K LEADSILICON DFN1006-3L S-N 60 0.34 1.5 1600 2500 1700 3000 ±20
BSS138K LEADSILICON SOT-23 S-N 60 0.34 1.1 1800 2500 1900 3000 ±20
2N7002K LEADSILICON SOT-23 S-N 60 0.34 1.6 1600 2000 1700 2500 ±20
LM2E7002 LEADSILICON SOT-23 S-N 60 0.34 1.5 1000 1500 1200 2000 ±20
LM2N7002 LEADSILICON SOT-23 S-N 60 0.34 1.5 1000 1500 1200 2000 ±20
LM1W7002K LEADSILICON SOT-323 S-N 60 0.34 1.6 1900 2500 2000 3000 ±20
LM1W7002 LEADSILICON SOT-323 S-N 60 0.1 1.5 1600 3500 2000 5000 ±20
LM1E7002K LEADSILICON SOT-523 S-N 60 0.3 1.5 1600 3000 1900 3000 ±20
LM1E7002 LEADSILICON SOT-523 S-N 60 0.1 1.5 1000 1500 1200 2000 ±20
LMBT7002 LEADSILICON SOT-89-3L S-N 60 0.1 1.5 1600 3500 2000 5000 ±20
LM2E350N06A LEADSILICON SOT-23 S-N 60 4 1.5 35 45 45 60 ±20
LM2E2310A LEADSILICON SOT-23 S-N 60 3 1.3 80 100 90 120 ±20
LM2E6003A LEADSILICON SOT-23 S-N 60 3 1.5 75 100 85 120 ±20
LM1K6005A LEADSILICON SOT-23-3L S-N 60 5 1.6 30 40 35 50 ±20
LMBT2310A LEADSILICON SOT-89-3L S-N 60 3 1.3 80 100 90 120 ±20