主页产品 MOSFET 中压MOSFET

中压MOSFET

中压MOSFET（Medium-voltage MOSFET）在电压和电流能力之间取得了平衡，是工业应用中最常见的类型。漏源电压（Vds）通常为200V, 300V, 400V, 500V, 600V。超结技术是其革命性的进步，它通过在传统的漂移区中插入P型柱，实现了比传统平面结构更低的导通电阻和更快的开关速度。

制造商
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封装
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类型
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VDS_Max/V
-
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ID_Max /A
-
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VGS(th)Typ/V
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RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V
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RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V
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RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V
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VGS_Max/V
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可用中压MOSFET型号：{{totalCount}}个
型号 制造商 封装 类型 VDS_Max/V ID_Max /A VGS(th)Typ/V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 4.5V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V VGS_Max/V
RS60N50S REASUNOS TO-263 N 60 50 14 22
RS60N130G REASUNOS DFN5*6 N 60 130 2.1 2.5
RS60N200T REASUNOS TO-220 N 60 200 2.5 3.2
RS85N140T REASUNOS TO-220 N 85 140 4.7 5.8
RS85N140S REASUNOS TO-263 N 85 140 4.5 5.8
RS85N150T REASUNOS TO-220 N 85 150 2.8 3.6
RS85N150S REASUNOS TO-263 N 85 150 2.7 3.4
RS100N78HT REASUNOS TO-220 N 100 78 8.2 9.5
RS100N78T REASUNOS TO-220 N 100 78 8.2 9.5
RS100N100T REASUNOS TO-220 N 100 100 7 8.5
RS100N120T REASUNOS TO-220 N 100 120 4.3 5.3
RS100N120S REASUNOS TO-263 N 100 120 4.3 5.3
RS100N135T REASUNOS TO-220 N 100 135 3.7 4.2
RS100N135HT REASUNOS TO-220 N 100 135 3.7 4.2
RS100N135HS REASUNOS TO-263 N 100 135 4.2 5
RS100N180T REASUNOS TO-220 N 100 180 3 4.4
RS100N180S REASUNOS TO-263 N 100 180 2.9 3.6
RS100N190T REASUNOS TO-220 N 100 190 2.3 3
RS100N190S REASUNOS TO-263 N 100 190 2.2 2.8
RS100N210T REASUNOS TO-220 N 100 210 1.9 2.4