主页产品 MOSFET 低压MOSFET

低压MOSFET

低压 MOSFET （Low-voltage MOSFET）是多种电流应用中必不可少的电子元件，因为它们能够以低功率损耗切换大电流。它们在低电压下工作，设计为在漏源电压（Vds）通常低于 200 V 下工作。在消费电子、电信、工业自动化、能源管理系统、稳压器和电源等领域尤为常见。低压 MOSFET具有与高压设计相同的功能。它们非常适合需要高效率和处理大电流能力的应用，即使在电源电压非常低的情况下也是如此。

制造商
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封装
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类型
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VDS_Max/V
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RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V
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VGS_Max/V
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可用低压MOSFET型号：{{totalCount}}个
型号 制造商 封装 类型 VDS_Max/V ID_Max/A VGS(th)Typ/V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS4.5V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V VGS_Max/V
LMAB140P02A LEADSILICON PDFNWB3.3×3.3-8L S-P -20 -25 -0.7 14 20 ±12
LM1U050P02A LEADSILICON TO-252-2L S-P -20 -50 -0.65 5 7.5 ±12
LM1U050P02B LEADSILICON TO-252-2L S-P -20 -50 -0.65 5 7.5 ±12
LMDW3139K LEADSILICON SOT-363 D-P -20 -0.5 -0.65 600 800 ±10
LMDX3139K LEADSILICON SOT-563 D-P -20 -0.5 -0.65 600 800 ±10
LMDW2301B LEADSILICON SOT-363 D-P -20 -2 -0.7 90 120 ±12
LM1Q4953D LEADSILICON SOP8 D-P -20 -3 -0.7 85 110 ±12
LM1Q140P02DA LEADSILICON SOP8 D-P -20 -8 -0.7 14 20 ±12
LMDN600P02DA LEADSILICON DFNWB2*2-6L-U D-P -20 #REF! -0.7 60 90 ±12
LM1E2301B LEADSILICON SOT-523 S-P -20 -1.8 -0.7 90 120 12
LM2N2301C LEADSILICON DFN1006-3L S-P -20 -1.5 -0.7 125 160 12
LM2E2301S LEADSILICON SOT-23 S-P -20 -4 -0.7 35 45 12
LM2N3139KB LEADSILICON DFN1006-3L S-P -20 -0.8 -0.7 400 500 ±10
LM1E3139KB LEADSILICON SOT-523 S-P -20 -0.5 -0.65 600 800 ±10
LM1K2305E LEADSILICON SOT-23-3L S-P -20 -7 -0.7 18 26 ±12
LM2E3415K LEADSILICON SOT-23 S-P -20 -4.5 -0.65 30 40 ±10
LMDW2429A LEADSILICON SOT-363 N+P 20--20 1.5--1 0.65--0.7 50-120 70-150 ±12-±12
LMAH500C02A LEADSILICON SOT-23-6L N+P 20--20 2--1.5 0.65--0.7 50-130 70-160 ±12-±12
LMDN180C02A LEADSILICON DFNWB2*2-6L-U N+P 20--20 6--6 0.65--0.65 18-30 27-40 ±12-±12
LM2N3144K LEADSILICON DFN1006-3L S-N 30 0.6 1 320 500 ±20