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低压MOSFET

低压 MOSFET (Low-voltage MOSFET)是多种电流应用中必不可少的电子元件,因为它们能够以低功率损耗切换大电流。它们在低电压下工作,设计为在漏源电压(Vds)通常低于 200 V 下工作。在消费电子、电信、工业自动化、能源管理系统、稳压器和电源等领域尤为常见。低压 MOSFET具有与高压设计相同的功能。它们非常适合需要高效率和处理大电流能力的应用,即使在电源电压非常低的情况下也是如此。

制造商
VDS_Max/V
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ID_Max/A
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VGS(th)Typ/V
-
RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V
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RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V
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RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS4.5V
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RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V
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VGS_Max/V
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可用低压MOSFET型号:{{totalCount}}
型号 制造商 封装 类型 VDS_Max/V ID_Max/A VGS(th)Typ/V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS4.5V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V VGS_Max/V
LMAC075P03A LEADSILICON PDFNWB5×6-8L S-P -30 -50 -1.5 7.5 10 11.5 14 ±20
LMAC085P03A LEADSILICON PDFNWB5×6-8L S-P -30 -45 -1.5 8.5 11 12 16 ±20
LMAC110P03A LEADSILICON PDFNWB5×6-8L S-P -30 -30 -1.6 12 16 20 26 ±20
LM1U020P03A LEADSILICON TO-252-2L S-P -30 -150 -1.6 2 3 3 4.5 ±20
LM1U035P03A LEADSILICON TO-252-2L S-P -30 -120 -1.7 3.5 4.5 5.5 7 ±20
LM1U060P03A LEADSILICON TO-252-2L S-P -30 -60 -1.5 6 7.5 8.5 11 ±20
LM1U075P03A LEADSILICON TO-252-2L S-P -30 -55 -1.5 7.5 10 11.5 14 ±20
LM1U085P03A LEADSILICON TO-252-2L S-P -30 -50 -1.5 8.5 11 12 16 ±20
LM1U090P03A LEADSILICON TO-252-2L S-P -30 -50 -1.5 9 12 13 17 ±20
LM1U110P03A LEADSILICON TO-252-2L S-P -30 -30 -1.6 12 16 20 26 ±20
LM1Q110P03DA LEADSILICON SOP8 D-P -30 -10 -1.6 14 18 21 28 ±20
LM1Q4953B LEADSILICON SOP8 D-P -30 -5 -1.5 35 50 45 65 ±20
LM1Q4953A LEADSILICON SOP8 D-P -30 -5 -1.5 40 55 60 80 ±20
LMDQ300C03A LEADSILICON SOP8 N+P 30--30 4-3.5 1.5--1.5 30-70 40-95 40-100 55-135 ±20-±20
LMBD110C03A LEADSILICON PDFNWB3.3×3.3-8L-B N+P 30--30 20--15 1.5--1.5 12.0-25 15-32 15-37 20-50 ±20-±20
LMDU060C03A LEADSILICON TO-252-4L N+P 30--30 40--55 1.6--1.5 6-7.5 9.0-10.0 10-11.5 15-15 ±20-±20
JMSL0301AG JJM PDFN5x6-8L N 30 245 1.7 0.85 1.1 ±20
JMSL0301TG JJM PDFN5x6-8L N 30 248 1.7 0.9 1.1 ±20
JMSL0302AG JJM PDFN5x6-8L N 30 178 1.7 1.3 1.55 ±20
JMSL0302AK JJM TO-252-3L N 30 161 1.6 1.7 2.2 ±20