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低压MOSFET

低压 MOSFET (Low-voltage MOSFET)是多种电流应用中必不可少的电子元件,因为它们能够以低功率损耗切换大电流。它们在低电压下工作,设计为在漏源电压(Vds)通常低于 200 V 下工作。在消费电子、电信、工业自动化、能源管理系统、稳压器和电源等领域尤为常见。低压 MOSFET具有与高压设计相同的功能。它们非常适合需要高效率和处理大电流能力的应用,即使在电源电压非常低的情况下也是如此。

制造商
VDS_Max/V
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ID_Max/A
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VGS(th)Typ/V
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RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V
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RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V
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RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS4.5V
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RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V
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VGS_Max/V
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可用低压MOSFET型号:{{totalCount}}
型号 制造商 封装 类型 VDS_Max/V ID_Max/A VGS(th)Typ/V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS4.5V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V VGS_Max/V
JMSL0315APD JJM SOP-8 N+N 30 12.4 1.6 9.5 12 ±20
JMSL0315ARD JJM DFN3030-8L N+N 30 37 1.7 6.5 8.5 ±20
JMSL0315AU JJM PDFN3x3-8L N 30 43 1.7 7 8.8 ±20
JMSL0315AUD JJM PDFN3x3-8L-D N+N 30 36 1.7 8.8 11 ±20
JMSL0315AV JJM DFN2020-6L N 30 22 1.6 7.2 9 ±20
JMTC018N03A JJM TO-220-3L N 30 190 1.5 2.2 2.7 ±20
JMTC3002B JJM TO-220-3L N 30 165 1.8 2.4 3.1 ±20
JMTC3003A JJM TO-220-3L N 30 150 1.9 2.5 3.3 ±20
JMTC3005A JJM TO-220-3L N 30 90 1.6 3.7 5 ±20
JMTD3134K JJM DFN1006-3L N 20 0.75 0.7 ±10
JMTE018N03A JJM TO-263-3L N 30 190 1.5 1.9 2.4 ±20
JMTE3002B JJM TO-263-3L N 30 180 1.9 2 2.6 ±20
JMTE3003A JJM TO-263-3L N 30 150 1.9 2.2 2.9 ±20
JMTG018N03A JJM PDFN5x6-8L N 30 130 1.5 1.5 1.8 ±20
JMTG040N03A JJM PDFN5x6-8L N 30 80 1.9 2.6 3.4 ±20
JMTG075C03D JJM PDFN5x6-8L-D N+P 30-30 38-25 1.6-1.7 6.719.8 1126.3 ±20
JMTG100C03D JJM PDFN5x6-8L-D N+P 30-30 12.0-10.0 1.5-1.6 9.621.0 12.026.3 ±20
JMTG100N03A JJM PDFN5x6-8L N 30 30 1.6 7.5 9.8 ±20
JMTG120C03D JJM PDFN5x6-8L-D N+P 30-30 11.5-11.5 1.4-1.5 9.018.5 12.024.0 ±20
JMTG200C03D JJM PDFN5x6-8L-D N+P 30-30 29-27 1.7-1.7 15.015.0 17.021.0 ±20