低压 MOSFET （Low-voltage MOSFET）是多种电流应用中必不可少的电子元件，因为它们能够以低功率损耗切换大电流。它们在低电压下工作，设计为在漏源电压（Vds）通常低于 200 V 下工作。在消费电子、电信、工业自动化、能源管理系统、稳压器和电源等领域尤为常见。低压 MOSFET具有与高压设计相同的功能。它们非常适合需要高效率和处理大电流能力的应用，即使在电源电压非常低的情况下也是如此。
| 型号 | 制造商 | 封装 | 类型 | VDS_Max/V | ID_Max/A | VGS(th)Typ/V | RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V | RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V | RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS4.5V | RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V | VGS_Max/V |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LM1E3139K | LEADSILICON | SOT-523 | S-P | -20 | -0.5 | -0.65 | 600 | 800 | ±10 | ||
| LM1M3139K | LEADSILICON | SOT-723 | S-P | -20 | -0.5 | -0.65 | 600 | 800 | ±10 | ||
| LM1M3139KA | LEADSILICON | SOT-723 | S-P | -20 | -0.66 | -0.65 | 400 | 550 | ±10 | ||
| LMDX2301C | LEADSILICON | SOT-563 | S-P | -20 | -1.5 | -0.7 | 120 | 150 | ±12 | ||
| LMBC2301B | LEADSILICON | DFN1.2*1.2-3L | S-P | -20 | -2 | -0.7 | 95 | 120 | ±12 | ||
| LM2E2006A | LEADSILICON | SOT-23 | S-P | -20 | -6 | -0.6 | 21 | 28 | ±12 |