低压 MOSFET （Low-voltage MOSFET）是多种电流应用中必不可少的电子元件，因为它们能够以低功率损耗切换大电流。它们在低电压下工作，设计为在漏源电压（Vds）通常低于 200 V 下工作。在消费电子、电信、工业自动化、能源管理系统、稳压器和电源等领域尤为常见。低压 MOSFET具有与高压设计相同的功能。它们非常适合需要高效率和处理大电流能力的应用，即使在电源电压非常低的情况下也是如此。
| 型号 | 制造商 | 封装 | 类型 | VDS_Max/V | ID_Max/A | VGS(th)Typ/V | RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V | RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V | RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS4.5V | RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V | VGS_Max/V |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SSC8211GQ4 | AF | DFN3X3 | P | -16 | -46 | -0.75 | 8 | ±12 | |||
| SSC8211GN2 | AF | DFN2X2 | P | -16 | -12 | -0.75 | 11 | ±12 | |||
| SSC8217GN2 | AF | DFN2X2 | P | -16 | -11 | -0.7 | 14 | ±12 | |||
| SSC8219GN4 | AF | PDFN3.3X3.3-8L | -16 | -45 | -0.6 | 7.8 | ±12 | ||||
| SSC8021GS6 | AF | SOT-23 | P+ESD | -20 | -0.7 | -0.7 | 450 | ±8 | |||
| SSC8021GS8 | AF | SOT-523 | P+ESD | -20 | -1 | -0.7 | 600 | ±12 | |||
| SSC8021GS9 | AF | SOT-723 | P+ESD | -20 | -0.8 | -0.7 | 650 | ±12 | |||
| SSC8021GN1 | AF | DFN1006 | P+ESD | -20 | -1 | -0.7 | 450 | ±12 | |||
| SSC8023GS6 | AF | SOT-23 | P | -20 | -3 | -0.75 | 65 | ±12 | |||
| SSC8025GN2 | AF | DFN2020-6L | P | -20 | -7 | -0.7 | 27 | ±12 | |||
| SSC8025GS6 | AF | SOT-23 | P | -20 | -8 | -0.7 | 28 | ±12 | |||
| SSC8025GS6A | AF | SOT-23-3L | P | -20 | -7.5 | -0.7 | 24 | ±12 | |||
| SSC8027GS6 | AF | SOT-23 | P | -20 | -2 | -0.75 | 100 | ±8 | |||
| SSC8027GN1 | AF | DFN1006 | P | -20 | -1.3 | -0.3 | 115 | ±8 | |||
| SSC8027GS7 | AF | SOT-323 | P | -20 | -2.7 | -0.75 | 140 | ±8 | |||
| SSC8027GS8 | AF | SOT-523 | P | -20 | -2.5 | -0.7 | 105 | ±12 | |||
| SSC8029GN2 | AF | DFN2X2 | P | -20 | -7.5 | -0.55 | 18 | ±12 | |||
| SSC8029GQ4 | AF | DFN3X3 | P | -20 | -15 | -0.6 | 17 | ±12 | |||
| SSC8029GS6A | AF | SOT23-3 | P | -20 | -7 | -0.6 | 18 | ±12 | |||
| SSC80211GN4 | AF | PDFN3.3X3.3-8L | P | -20 | -55 | -0.8 | 8.5 | ±12 |