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低压MOSFET

低压 MOSFET (Low-voltage MOSFET)是多种电流应用中必不可少的电子元件,因为它们能够以低功率损耗切换大电流。它们在低电压下工作,设计为在漏源电压(Vds)通常低于 200 V 下工作。在消费电子、电信、工业自动化、能源管理系统、稳压器和电源等领域尤为常见。低压 MOSFET具有与高压设计相同的功能。它们非常适合需要高效率和处理大电流能力的应用,即使在电源电压非常低的情况下也是如此。

制造商
VDS_Max/V
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ID_Max/A
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VGS(th)Typ/V
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RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V
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RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V
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RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS4.5V
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RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V
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VGS_Max/V
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可用低压MOSFET型号:{{totalCount}}
型号 制造商 封装 类型 VDS_Max/V ID_Max/A VGS(th)Typ/V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS4.5V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V VGS_Max/V
LMDX3134K LEADSILICON SOT-563 D-N 20 0.75 0.7 200 350 ±10
LM4H8205A LEADSILICON SOT-23-6L D-N 20 5 0.65 18.5 23 ±12
LM4H8205B LEADSILICON SOT-23-6L D-N 20 4.2 0.65 19 25 ±12
LM4H8810KA LEADSILICON SOT-23-6L D-N 20 7 0.7 12 16 ±12
LMDQ9926A LEADSILICON SOP8 D-N 20 6 0.65 20 27 ±12
LM1S8205A LEADSILICON TSSOP8 D-N 20 4.5 0.65 21 25 ±12
LM1S8810KX LEADSILICON TSSOP8 D-N 20 7 0.65 17 ±12
LM1S8820A LEADSILICON TSSOP8 D-N 20 7 0.65 12 20 ±12
LMBD045N02DA LEADSILICON DFNWB2*2-6L-U D-N 20 60 0.6 4.5 6.5 ±12
LMBD080N02DA LEADSILICON PDFNWB3.3×3.3-8L-B D-N 20 15 0.65 8 12 ±12
LM2N3134KB LEADSILICON DFN1006-3L S-N 20 0.75 0.7 200 350 ±10
LMDE3134K LEADSILICON DFN1.0*1.0*0.35-6L D-N 20 0.75 0.7 200 350 ±10
LMAB045N02A LEADSILICON PDFNWB3.3×3.3-8L S-N 20 40 0.6 4.5 6.8 ±12
LM1S085N02KDA LEADSILICON TSSOP8 D-N 20 10 0.7 8.5 14 ±12
LMAA3139K LEADSILICON WBFBP-03E S-P -20 -0.5 -0.65 600 800 ±10
LM2N3139K LEADSILICON DFN1006-3L S-P -20 -0.5 -0.65 600 800 ±10
LM2N3139KA LEADSILICON DFN1006-3L S-P -20 -0.66 -0.65 400 550 ±10
LMBB3139K LEADSILICON DFN1006-3L-A S-P -20 -0.5 -0.65 600 800 ±10
LM2E3139K LEADSILICON SOT-23 S-P -20 -0.5 -0.65 600 800 ±10
LM1W3139K LEADSILICON SOT-323 S-P -20 -0.5 -0.65 600 800 ±10