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低压MOSFET

低压 MOSFET (Low-voltage MOSFET)是多种电流应用中必不可少的电子元件,因为它们能够以低功率损耗切换大电流。它们在低电压下工作,设计为在漏源电压(Vds)通常低于 200 V 下工作。在消费电子、电信、工业自动化、能源管理系统、稳压器和电源等领域尤为常见。低压 MOSFET具有与高压设计相同的功能。它们非常适合需要高效率和处理大电流能力的应用,即使在电源电压非常低的情况下也是如此。

制造商
VDS_Max/V
-
ID_Max/A
-
VGS(th)Typ/V
-
RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V
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RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V
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RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS4.5V
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RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V
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VGS_Max/V
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可用低压MOSFET型号:{{totalCount}}
型号 制造商 封装 类型 VDS_Max/V ID_Max/A VGS(th)Typ/V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS4.5V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V VGS_Max/V
SSC8121GN1 AF DFN1006 P -20 -1 -0.75 150 ±8
SSC8121GS6 AF SOT-23 P -20 -1.2 -0.75 180 ±8
SSC8123GN2 AF DFN2X2 P -20 -10 -0.7 14 ±12
SSC8123GS6A AF SOT23-3 P -20 -7 -0.7 20 ±12
SSC8129GQ4 AF DFN3X3 P -20 -32 -0.7 9 ±12
SSC8129GN4 AF PDFN3.3X3.3-8L P -20 -42 -0.75 8 ±12
SSC8129GS1 AF SOP-8 P -20 -15 -0.7 11 ±12
SSC8229GS6 AF SOT3-3L P -20 -9 -0.7 21 ±12
SSC8229GS6A AF SOT3-3L P -20 -9 -0.7 21 ±12
SSC8229GS1 AF SOP-8 P -20 -29 -0.7 21 ±12
SSC8415GS6 AF SOT-23 P -20 -4 -0.6 35 ±12
SSC8415GS6B AF SOT-23 P -20 -4 -0.6 35~40 ±12
SSC8429GN6 AF PDFN5X6-8L P -20 -90 -0.7 6 ±12
SSC8030GN2 AF DFN2X2 N 30 17 1.5 8.5 ±20
SSC8030GQ4 AF DFN3X3 N 30 29 1.5 8 ±20
SSC8030GN4 AF PDFN3.3X3.3 N 30 35 1.5 8 ±20
SSC8032GS6 AF SOT-23 N 30 4.3 1.5 28 ±20
SSC8034GS6 AF SOT-23 N 30 7 0.8 18 ±12
SSC8034GSB AF SOT23-6 N 30 7 1 30 ±12
SSC8034GS6B AF SOT-23 N 30 4 0.7 36 ±12