低压 MOSFET （Low-voltage MOSFET）是多种电流应用中必不可少的电子元件，因为它们能够以低功率损耗切换大电流。它们在低电压下工作，设计为在漏源电压（Vds）通常低于 200 V 下工作。在消费电子、电信、工业自动化、能源管理系统、稳压器和电源等领域尤为常见。低压 MOSFET具有与高压设计相同的功能。它们非常适合需要高效率和处理大电流能力的应用，即使在电源电压非常低的情况下也是如此。
| 型号 | 制造商 | 封装 | 类型 | VDS_Max/V | ID_Max/A | VGS(th)Typ/V | RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V | RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V | RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS4.5V | RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V | VGS_Max/V |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SSC8137GSB | AF | SOT23-6 | P | -30 | -7 | -1.5 | 30 | ±20 | |||
| SSC8137GS6A | AF | SOT23-3 | P | -30 | -7 | -1.5 | 23 | ±20 | |||
| SSC8237GN6 | AF | PDFN5X6 | P | -30 | -60 | -1.7 | 9 | ±20 | |||
| SSC8239GQ4 | AF | DFN3X3-8L | P | -30 | -46 | -1.5 | 6.5 | ±20 | |||
| SSC8239GS1 | AF | SOP-8 | P | -35 | -68 | -1.4 | 6 | ±20 | |||
| SSC8239GT8 | AF | TO252 | P | -30 | -95 | -1.3 | 5.3 | ±20 | |||
| SSC80311GS6 | AF | SOT-23 | P | -30 | -2 | -1.5 | 80 | ±20 | |||
| SSC80313GN2 | AF | DFN2020-6L | P | -30 | -8 | -1.5 | 22 | ±20 | |||
| LM4H8205L | LEADSILICON | SOT-23-6L | D-N | 16 | 4 | 0.65 | 22 | 34 | ±10 | ||
| LM4H8205C | LEADSILICON | SOT-23-6L | D-N | 16 | 4 | 0.65 | 21 | 30 | ±10 | ||
| LM2E2333A | LEADSILICON | SOT-23 | S-P | -16 | -6 | -0.65 | 19 | 28 | ±8 | ||
| LM1K2333A | LEADSILICON | SOT-23-3L | S-P | -16 | -6 | -0.65 | 19 | 28 | ±8 | ||
| LM1K150P02A | LEADSILICON | SOT-23-3L | S-P | -16 | -7 | -0.62 | 18 | 24 | ±10 | ||
| LMAA3134K | LEADSILICON | WBFBP-03E | S-N | 20 | 0.75 | 0.7 | 200 | 350 | ±10 | ||
| LM2N3134K | LEADSILICON | DFN1006-3L | S-N | 20 | 0.75 | 0.7 | 200 | 350 | ±10 | ||
| LMBB3134K | LEADSILICON | DFN1006-3L-A | S-N | 20 | 0.75 | 0.7 | 200 | 350 | ±10 | ||
| LM2E3134K | LEADSILICON | SOT-23 | S-N | 20 | 0.75 | 0.7 | 200 | 350 | ±10 | ||
| LM1W3134K | LEADSILICON | SOT-323 | S-N | 20 | 0.75 | 0.7 | 200 | 350 | ±10 | ||
| LM1E3134K | LEADSILICON | SOT-523 | S-N | 20 | 0.75 | 0.7 | 200 | 350 | ±10 | ||
| LM1M3134K | LEADSILICON | SOT-723 | S-N | 20 | 0.75 | 0.7 | 200 | 350 | ±10 |