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低压MOSFET

低压 MOSFET (Low-voltage MOSFET)是多种电流应用中必不可少的电子元件,因为它们能够以低功率损耗切换大电流。它们在低电压下工作,设计为在漏源电压(Vds)通常低于 200 V 下工作。在消费电子、电信、工业自动化、能源管理系统、稳压器和电源等领域尤为常见。低压 MOSFET具有与高压设计相同的功能。它们非常适合需要高效率和处理大电流能力的应用,即使在电源电压非常低的情况下也是如此。

制造商
VDS_Max/V
-
ID_Max/A
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VGS(th)Typ/V
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RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V
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RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V
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RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS4.5V
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RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V
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VGS_Max/V
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可用低压MOSFET型号:{{totalCount}}
型号 制造商 封装 类型 VDS_Max/V ID_Max/A VGS(th)Typ/V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS4.5V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V VGS_Max/V
SSC8428GN2 AF DFN2020-6L N 20 8 0.7 13 ±12
SSC8222GN2 AF DFN2020-6L N 20 15 0.7 7.5 ±12
SSC8222GT8 AF TO-252-2L N 20 55 0.55 5.5 ±12
SSC8222GS1 AF SOP-8 N 20 45 0.7 5.5 ±12
SSC8228GQ4 AF DFN3X3-8L N 20 40 0.7 5.5 ±12
SSC8124GS6B AF SOT-23 N 20 6 0.6 22 ±12
SSC2314GS6A AF SOT-23-3L N 20 6 0.6 22 ±12
SSC8028GT8 AF TO-252-2L N 20 106 0.7 3.1 ±12
SSC8013GS6 AF SOT-23 P -12 -3.8 -0.62 38 ±8
SSC8015GS6 AF SOT-23 P -16 -7.5 -0.7 23 ±12
SSC8015GS6A AF SOT-23-3L P -16 -7.5 -0.7 23 ±12
SSC8015GN2 AF DFN2020-6L P -16 -8 -0.7 23 ±12
SSC8017GS6A AF SOT-23-3L P -12 -11 -0.7 21 ±8
SSC8017GN2 AF DFN2X2 P -12 -10 -0.7 11 ±8
SSC8111GS6 AF SOT-23 P -16 -6 -0.7 28 ±12
SSC8019GN2 AF DFN2020-6L P -16 -12 -0.65 15 ±12
SSC8019GS6A AF SOT-23-3L P -16 -11 -0.6 18 ±12
SSC8019GS6 AF SOT-23 P -16 -7 -0.6 19 ±12
SSC8113GS6 AF SOT-23 P -16 -4 -0.65 46 ±12
SSC8211GS6A AF SOT-23-3L P -16 -12 -0.7 13 ±12