低压 MOSFET （Low-voltage MOSFET）是多种电流应用中必不可少的电子元件，因为它们能够以低功率损耗切换大电流。它们在低电压下工作，设计为在漏源电压（Vds）通常低于 200 V 下工作。在消费电子、电信、工业自动化、能源管理系统、稳压器和电源等领域尤为常见。低压 MOSFET具有与高压设计相同的功能。它们非常适合需要高效率和处理大电流能力的应用，即使在电源电压非常低的情况下也是如此。
| 型号 | 制造商 | 封装 | 类型 | VDS_Max/V | ID_Max/A | VGS(th)Typ/V | RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V | RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V | RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS4.5V | RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V | VGS_Max/V |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TKMN3402 | CTK | SOT-23 | N | 30 | 4 | 0.6~1.4 | 33 | 55 | ±12 | ||
| TKMN3404 | CTK | SOT-23 | N | 30 | 5.8 | 1~3 | 23 | 30 | ±20 | ||
| TKMN3406 | CTK | SOT-23 | N | 30 | 3.6 | 1~3 | 40 | 65 | ±20 | ||
| TKMP2301 | CTK | SOT-23 | P | -20 | -2.3 | -0.4~-1 | - | - | ±8 | ||
| TKMP2305 | CTK | SOT-23 | P | -12 | -4.1 | -0.5~-0.9 | - | - | ±8 | ||
| TKMP2307 | CTK | SOT-23 | P | -30 | -2.7 | -1~-3 | 75 | 90 | ±20 | ||
| TKMP2333 | CTK | SOT-23 | P | -12 | -6 | -0.4~-1 | - | - | ±8 | ||
| SSC8012GN2 | AF | DFN2020-6L | N | 16 | 12 | 0.75 | 12 | ±12 | |||
| SSC8120GN1 | AF | DFN1006-3L | N+ESD | 20 | 0.7 | 0.6 | 310 | ±12 | |||
| SSC8120GS6 | AF | SOT-23 | N+ESD | 20 | 1.2 | 0.6 | 310 | ±12 | |||
| SSC8120GS8 | AF | SOT-523 | N+ESD | 20 | 0.8 | 0.6 | ±12 | ||||
| SSC8120GS9 | AF | SOT-723 | N+ESD | 20 | 0.75 | 0.6 | 300 | ±12 | |||
| SSC8122GN1 | AF | DFN1006-3L | N+ESD | 20 | 1.1 | 0.68 | 195 | ±8 | |||
| SSC8122GS6 | AF | SOT-23 | N | 20 | 1.5 | 0.8 | 220 | ±8 | |||
| SSC8122GS7 | AF | SOT-323 | N+ESD | 20 | 1.5 | 0.8 | 220 | ±8 | |||
| SSC8122GS8 | AF | SOT-523 | N+ESD | 20 | 1.2 | 0.7 | 220 | ±8 | |||
| SSC8122GS9 | AF | SOT-723 | N+ESD | 20 | 1 | 0.7 | 215 | ±8 | |||
| SSC8022GS6 | AF | SOT-23 | N | 20 | 3.5 | 0.7 | 35 | ±12 | |||
| SSC8022GS6B | AF | SOT-23 | N | 20 | 3 | 0.7 | 51 | ±12 | |||
| SSC8428GS6 | AF | SOT-23 | N | 20 | 7 | 0.7 | 16 | ±12 |