高压MOSFET的优点是工作电压是中高压（一般小于40V），尺寸小和集成度高。高压 MOS 的器件结构决定了它的源极和漏极都能承受高压，高压 MOSFET适合用于模拟电路和输出驱动。高压MOSFET产品广泛应用于可再生能源、电动汽车、工业自动化和消费电子产品等领域。
| 型号 | 制造商 | 封装 | 类型 | VDS_Max/V | ID_Max/A | VGS(th)Typ/V | RDS(ON)Typ (mΩ) @VGS 10V | RDS(ON)_Max (mΩ) @VGS 10V | VGS_Max (V) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SSC8V10N60GT8 | AF | TO-252 | N | 600 | 10 | 3 | 700 | ±30 | |
| SSC8V12N60GT8 | AF | TO-252 | N | 600 | 12 | 3 | 560 | ±30 | |
| SSC8V16N60GT8 | AF | TO-252 | N | 600 | 16 | 3 | 410 | ±30 | |
| SSC8V20N60GT8 | AF | TO-252 | N | 600 | 20 | 3 | 350 | ±30 | |
| SSC8V20N60HT8 | AF | TO-252 | N | 600 | 20 | 3 | 220 | ±30 | |
| SSC8V30N60GT8 | AF | TO-252 | N | 600 | 30 | 3 | 200 | ±30 | |
| SSC8V3N50GT8 | AF | TO-252 | N | 500 | 3 | 3.1 | 3000 | ±30 | |
| SSC8V5N50GT8 | AF | TO-252 | N | 500 | 5 | 3 | 1330 | ±29 | |
| SSC8V9N50GT8 | AF | TO-252 | N | 500 | 9 | 3 | 680 | ±30 | |
| SSC8V13N50GT8 | AF | TO-252 | N | 500 | 13 | 3 | 500 | ±30 | |
| SSC8V15N50GT8 | AF | TO-252 | N | 500 | 15 | 3 | 360 | ±30 | |
| SSC8V18N50GT8 | AF | TO-252 | N | 500 | 15 | 3 | 280 | ±30 | |
| SSC8V9N20GT8 | AF | TO-252 | N | 200 | 9 | 3 | 220 | ±30 | |
| SSC8V28N20GT8 | AF | TO-252 | N | 200 | 9 | 3 | 82 | ±30 | |
| SSC8V52N20GT8 | AF | TO-252 | N | 200 | 52 | 3 | 50 | ±30 | |
| SSC8V50N30GT8 | AF | TO-252 | N | 300 | 50 | 3 | 65 | ±30 | |
| SSC8V4N65GTF | AF | TO-220F-3L | N | 650 | 4 | 3 | 2220 | ±30 | |
| SSC8V16N65GTF | AF | TO-220F-3L | N | 650 | 16 | 3 | 620 | ±30 | |
| SSCV3NF500GT8 | AF | TO-252 | N | 500 | 1.5 | 2-4 | 2500 | ±30 | |
| SSCV5N500GT8 | AF | TO-252 | N | 500 | 5 | 3 | 1400 | ±30 |