高压MOSFET的优点是工作电压是中高压（一般小于40V），尺寸小和集成度高。高压 MOS 的器件结构决定了它的源极和漏极都能承受高压，高压 MOSFET适合用于模拟电路和输出驱动。高压MOSFET产品广泛应用于可再生能源、电动汽车、工业自动化和消费电子产品等领域。
| 型号 | 制造商 | 封装 | 类型 | VDS_Max/V | ID_Max/A | VGS(th)Typ/V | RDS(ON)Typ (mΩ) @VGS 10V | RDS(ON)_Max (mΩ) @VGS 10V | VGS_Max (V) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LCPF65R320Y | LEADSILICON | TO-220F | S-N | 650 | 11 | 3.5 | 320 | 380 | ±30 |
| LCPF65R235A | LEADSILICON | TO-220F | S-N | 650 | 15 | 3.5 | 235 | 280 | ±30 |
| LC1D70R670A | LEADSILICON | TO-251 | S-N | 700 | 10 | 3 | 665 | 730 | ±30 |
| LC1U70R250A | LEADSILICON | TO-252 | S-N | 700 | 16 | 3 | 253 | 300 | ±30 |
| LC1U70R670A | LEADSILICON | TO-252 | S-N | 700 | 10 | 3 | 665 | 730 | ±30 |
| LCPF70R340A | LEADSILICON | TO-220F | S-N | 700 | 15 | 3 | 340 | 380 | ±30 |
| LCPF80R220A | LEADSILICON | TO-220F | S-N | 800 | 20 | 3.5 | 215 | 250 | ±30 |