浙江晶盛机电近日在投资者关系活动中证实，公司首条12英寸碳化硅（SiC）衬底加工中试生产线于2025年9月26日在其子公司SuperSiC正式投产。正如报告所指出的，这条中试生产线的关键突破是所有阶段的设备完全内部开发和 100% 本地化。
12英寸碳化硅技术的兴起
报告指出，更大的晶圆尺寸是降低成本的关键途径。据浙江晶盛机电介绍，与目前主流的8英寸产品相比，12英寸SiC衬底每片可产出约2.5倍的芯片，在量产过程中显著降低单位成本。
报告援引业内人士的话强调，一旦12英寸基板进入量产，每片硅片的成本可能会下降约40%，而汽车级功率模块的单价可能会从150美元降至90美元左右。报告补充说，这将在新能源汽车、太阳能和5G通信等下游行业的成本优化中发挥关键作用。
除了景盛的努力，其他公司也在推动12英寸SiC开发的进展。正如报告所强调的那样，随着中国SICC的12英寸SiC衬底生产线实现了65%的良率，并计划在2025年底之前量产，以及英飞凌和TanKeBlue在2026年共同开发12英寸沟槽栅极SiC MOSFET，大直径碳化硅时代正在迅速逼近。
与此同时，随着中国加大碳化硅自给自足的力度，国内企业正在迅速扩大其全球影响力。报道援引业内人士的话称，中国在全球SiC衬底市场的份额预计将从2024年的35%上升到2025年的60%，设备国产化率将超过80%。根据TrendForce集邦咨询的数据，2024年，Wolfspeed以34%的份额领跑全球SiC基板市场，但中国竞争对手TanKeBlue和SICC正在迎头赶上，各占17%。
碳化硅的应用范围不断扩大
报告指出，新能源汽车仍然是SiC功率器件的最大应用，2024年将占全球市场的73.1%。它还强调，随着不断增长的电力和散热需求刺激电力和冷却系统的升级，人工智能数据中心正在成为新的增长动力，而碳化硅有望帮助应对高端人工智能芯片的散热挑战。
值得注意的是，据《财富》杂志报道，据报道，NVIDIA 计划在其下一代 Rubin 架构中用碳化硅取代传统的硅中介层，目标是更高的性能——这一转变可能会释放新的行业机会。