中国是否正在缩小与韩国记忆巨头的差距？一位行业资深人士表示，差距可能比想象的更大。据《韩国先驱报》报道，东亚大学下一代半导体教授沈大勇表示，中国存储器制造商与韩国同行之间的技术差距被严重低估，甚至可能在扩大，他补充说，差距不是两三年，而是超过五年。
报告补充称，沈被广泛认为是资深的DRAM专家，他在SK海力士工作了26年，领导核心DRAM技术开发，并在HBM早期发展中发挥了关键作用。
沈氏指出，问题的核心在于中国先进DRAM开发面临的结构性限制：极紫外（EUV）光刻的获取受限。正如报告所述，极紫外工具已成为10nm级及更高级别DRAM生产的关键。
DRAM差距扩大的地方
作为背景介绍，报告解释说DRAM工艺通常从1x、1y和1z节点（20nm以下）演变为1a、1b和1c（10nm级）。Shim指出，虽然多图案化可以在一定程度上扩展传统光刻工具的使用，如美光在1a节点所做的那样，但从1b节点开始，极紫外量实际上变得不可或缺。
报告还指出，收益率仍是中国企业面临的关键障碍，因为实现商业可行的成本竞争力通常需要约80%至90%的收益率。
三维叠加移动压力点
沈志明指出，中国的替代方案是专注于先进的3D叠层技术，在缺乏紫外光刻技术的情况下，这可能是缩小与三星电子、SK海力士和美光差距的唯一可行途径。然而，他也指出，这种做法只是将瓶颈转移到了其他领域，尤其是材料和先进包装。
报告指出，HBM中使用的关键材料，包括填充和环氧成型化合物，主要由日本供应商如Resonac和Namics控制。他补充说，即使是三星电子和SK海力士也花费多年时间将这些关键输入本地化。
共同开发经验的局限性
报告引用沈氏的话指出，除了EUV访问和材料的限制外，中国内存制造商也缺乏韩国存储器公司与Microsoft、Google、Apple和NVIDIA等大型科技公司数十年来积累的深厚合作经验。Shim强调，这些公司不仅采用内存产品，还与供应商紧密合作，在新系统架构上共同开发和验证，正如报告指出的，这一过程无法在短时间内复制。