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11月19日，中国深圳国田半导体科技（惠州惠士康科技）宣布计划投资11.5亿元人民币，在广东惠州中开区建设全球最大的12英寸光学级碳化硅（SiC）材料生产基地。

东芝电子元件及存储公司于2025年8月与中国SICC(山东天岳先进科技股份有限公司)签署的谅解备忘录（MOU）涵盖碳化硅（SiC）功率半导体晶圆的合作，在两家公司进一步...

中国在全球SiC衬底市场的份额预计将从2024年的35%上升到2025年的60%，设备国产化率将超过80%。根据TrendForce集邦咨询的数据，2024年，Wolfspeed以34%的份额领跑...

据纽西斯报道，韩国政府表示，将把全国碳化硅（SiC）功率半导体的技术自给率提高一倍，到2030年，从目前的10%提高到20%。