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本文基于 PGC Consultancy 进行的一项分析，考察了当今 650V 和 1200V SiC MOSFET，揭示了包括栅极氧化层可靠性优化等问题，这些可以有助于降低比导通电阻，从而...

碳化硅（SiC）MOSFET 能够满足电力电子行业对更高效率、更大功率密度以及在极端温度下运行的要求，包括电动汽车牵引逆变器、可再生能源系统和工业电源。本文深入探...

碳化硅MOSFET全称为碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）是一种使用碳化硅（SiC）作为半导体材料的功率半导体器件。碳化硅是一种由硅和碳组成的化合...

11月19日，中国深圳国田半导体科技（惠州惠士康科技）宣布计划投资11.5亿元人民币，在广东惠州中开区建设全球最大的12英寸光学级碳化硅（SiC）材料生产基地。

东芝电子元件及存储公司于2025年8月与中国SICC(山东天岳先进科技股份有限公司)签署的谅解备忘录（MOU）涵盖碳化硅（SiC）功率半导体晶圆的合作，在两家公司进一步...

中国在全球SiC衬底市场的份额预计将从2024年的35%上升到2025年的60%，设备国产化率将超过80%。根据TrendForce集邦咨询的数据，2024年，Wolfspeed以34%的份额领跑...