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低压MOSFET

低压 MOSFET (Low-voltage MOSFET)是多种电流应用中必不可少的电子元件,因为它们能够以低功率损耗切换大电流。它们在低电压下工作,设计为在漏源电压(Vds)通常低于 200 V 下工作。在消费电子、电信、工业自动化、能源管理系统、稳压器和电源等领域尤为常见。低压 MOSFET具有与高压设计相同的功能。它们非常适合需要高效率和处理大电流能力的应用,即使在电源电压非常低的情况下也是如此。

制造商
VDS_Max/V
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ID_Max/A
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VGS(th)Typ/V
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RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V
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RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V
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RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS4.5V
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RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V
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VGS_Max/V
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可用低压MOSFET型号:{{totalCount}}
型号 制造商 封装 类型 VDS_Max/V ID_Max/A VGS(th)Typ/V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS4.5V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V VGS_Max/V
JMTQ240N03D JJM PDFN3x3-8L-D N+N 30 12 1.7 16.6 21.6 ±20
JMTQ250C03D JJM PDFN3x3-8L-D N+P 30-30 9.0-5.0 1.5-1.6 16.0 40.0 21.052.0 ±20
JMTQ3003A JJM PDFN3x3-8L N 30 80 1.9 2.6 3.4 ±20
JMTQ3005A JJM PDFN3x3-8L N 30 50 1.9 3.7 4.8 ±20
JMTQ3005C JJM PDFN3x3-8L N 30 61 1.6 3.3 4.4 ±20
JMTQ3006B JJM PDFN3x3-8L N 30 40 1.6 4.7 6.1 ±20
JMTQ3006C JJM PDFN3x3-8L N 30 52 1.7 4.3 5.6 ±20
JMTQ3008A JJM PDFN3x3-8L N 30 41 1.6 6.1 8.6 ±20
JMTQ3010D JJM PDFN3x3-8L-D N+N 30 22 1.6 10.4 13.5 ±20
JMTQ3400D JJM PDFN3x3-8L N 30 40 1 10.6 13.8 ±12
JMTQ380C03D JJM PDFN3x3-8L-D N+P 30-30 6.0-5.0 1.5 -1.6 28.0 38.0 36.0 50.0 ±20
JMTQ90N02A JJM PDFN3x3-8L N 20 60 0.8 ±12
JMTR3002A JJM DFN3333-8L N 30 100 1.9 2.3 3 ±20
JMTT8810KS JJM TSSOP-8 N+N 20 4.8 0.7 ±10
JMTV070N02A JJM DFN2020-6L N 20 25 0.7 ±12
JMTV075N03A JJM DFN2020-6L N 30 22 1.8 6.2 8.1 ±20
JMTV080N02A JJM DFN2020-6L N 20 20 0.8 ±12
JMTV100N02A JJM DFN2020-6L N 20 10 0.8 ±12
JMTV120N03A JJM DFN2020-6L N 30 12 1.7 9.2 12 ±20
JMTV240N03A JJM DFN2020-6L N 30 10 1.7 15.6 20.3 ±20