中国芯片装备行业乘2025年IPO浪潮助力国产化
除了国家资金的收购和支持，中国芯片设备行业今年也迎来了一波新的IPO。在测试设备板块，思的半导体设备于3月24日在深交所成功挂牌上市。正如TrendForce集邦咨询所指出的那样，该公司专注于开发探针台和分选机等测试工具。
在技术要求更高的光刻细分领域，配套和辅助设备制造商也正在向资本市场进军。正如TrendForce集邦咨询所强调的那样，中道光电的IPO申请已被受理;公司主要专注于半导体光刻设备的研发。
此外，专业从事激光热处理设备的成都拉斯拓科技于9月接受了科创板IPO申请。激光热加工刀具在退火等关键工艺中发挥着至关重要的作用。正如TrendForce集邦咨询所指出的，这些配套工具的产业化加强了中国光刻设备供应链的整体国产化。
同时，在核心零部件领域，KYKY科技在北交所的IPO申请已于6月受理。公司专注于干式真空泵和真空科学仪器。据TrendForce集邦咨询称，作为前端高真空工艺设备（如蚀刻、PVD和CVD工具）的“心脏”，干式真空泵浦的国产突破对于提升中国半导体制造能力至关重要。
中国光刻技术挑战ASML：从SiCarrier到替代紫外飞行路径
随着中国向半导体自力更生迈进，高端芯片制造工具不可或缺，但由 ASML 控制的光刻技术带来了最大的挑战，其用于 5 纳米以下芯片的 EUV 机器禁止出口。值得注意的是，ASML2025 年第三季度销售额的 42% 来自中国，这凸显了该国对这家荷兰巨头不太先进的 DUV 工具的依赖。
尽管如此，在 SiCarrier 和 AMIES 等公司的推动下，进展仍在进行中，AMIES 是上海微电子设备 （SMEE） 的分拆公司。以下是中国最新进展和该国主要技术障碍的快照。
SiCarrier 的光刻雄心面临 SAQP+DUV 限制
在 3 月的 SEMICON China 上，成立于 2022 年的 SiCarrier 推出了一套晶圆厂工具，包括外延 （EPI） 系统、蚀刻工具、化学气相沉积 （CVD） 设备、物理气相沉积 （PVD） 齿轮和原子层沉积 （ALD） 机。
然而，引起最大轰动的是传闻中的 SiCarrier 进入光刻机领域。据彭博社报道，该公司于 2023 年底获得了一项专利，该专利利用自对准四重图案化 （SAQP） 和深紫外 （DUV） 光刻技术，无需 EUV 即可实现 5nm 级性能。
尽管如此，重大挑战仍然存在。DUV 光刻使用 193 nm （ArF） 或 248 nm （KrF） 的波长，与 EUV 的 13.5 nm 波长相比，每次曝光可实现的最小特征尺寸本质上受到限制。
由于无法进入 EUV，SiCarrier 和其他中国公司转向具有多次 DUV 曝光的 SAQP 等技术来生产先进芯片。然而，这种方法容易出现对准错误，从而推高缺陷率。
据Wccftech援引机构投资者数据称，中芯国际的 5nm 晶圆预计将于 2025 年完成开发，成本可能比台积电的同类产品高出 50%，据报道良率低至 33%，凸显了基于 DUV 工艺的局限性。
国产 DUV 机器在不确定性中初具规模
尽管良率面临挑战，中国仍在推进国产 DUV 光刻机的发展，这是迈向芯片独立的关键一步。据英国《金融时报》9月报道，中芯国际正在测试上海初创企业宇良盛的DUV系统，据报道该系统与SiCarrier有关。
据称，正在试验的机器是一款 28nm DUV 工具，采用多图案技术生产 7nm 芯片。然而，该报告指出，尽管它有可能以较低的良率处理 5nm 制造，但更先进的节点仍然遥不可及。此外，虽然据说大多数部件都是国产的，但有些仍然是进口的。因此，据报道，该公司正在努力在中国生产所有零部件。
Storm Media援引 YouTube 频道“Raven's Laugh”的话称，宇良盛已经生产了三台光刻机，并已交付给三个晶圆厂进行测试和校准。
然而，技术差距仍然很大。据Tom's Hardware称，Yuliangsheng 的浸入式 DUV 系统类似于 ASML 在 1950 年的 Twinscan NXT：2008i，最初是为 32nm 级工艺的单次曝光而设计的。报告补充说，虽然该机器理论上可以支持 7nm 和 5nm 节点，但 ASML 的 NXT：2000i（专为此类先进制造而开发）领先了几代人。
因此，Tom's Hardware 指出，即使中芯国际到 2027 年将该工具集成到其 28 纳米工艺中，达到 10 纳米以下的工艺也需要重新设计的扫描仪和数年的开发——这意味着国产光刻系统可能无法在 10 年之前实现 2030 纳米以下的生产。
SMEE 和 AMIES 加入竞赛
除了 SiCarrier 和 Yuliangsheng 之外，英国《金融时报》的报道还点名了另一家参与者：SMEE，该公司生产不太先进的 DUV 机器。据《南华早报》报道，2023年底，股东张江集团在社交媒体上短暂发文称，SMEE“成功研发了一台28纳米光刻机”，尽管这一说法后来被撤回。
SMEE 的分拆公司 AMIES Technology 正在成为关键竞争者。据STCNN称，SMEE自主研发的600系列光刻系统已在90nm节点进入量产，目前正在开发28nm浸没式模型。
另一方面，《南华早报》表示，AMIES 的旗舰产品先进封装光刻系统以 90% 的份额主导了中国市场，并占据了全球市场 35% 的份额。据报道，它专为高端芯片封装而设计，支持晶圆级和面板级先进封装，例如倒装芯片、扇入式、扇出式 WLP/PLP 和 2.5D/3D 集成。
其他谣言：激光产生的等离子体的替代品？
如果ASML的EUV机器仍然遥不可及，中国能否开发出替代的等离子体发生方法？ASML 的方法被称为激光产生的等离子体或 LPP，依赖于向锡滴发射高能激光器，并且需要复杂的基于现场可编程门阵列的控制系统。该设备体积庞大、耗电且制造成本极高。
然而，Wccftech3 月份的一份报告援引 X 上爆料者发布的图片显示，华为东莞工厂正在测试一种不同的方法：激光诱导放电等离子体 （LDP） 系统。
该工具据信是由中国哈尔滨省创新开发的，它使用基于 LDP 的方法来生成关键的 13.5nm 波长 EUV 光。报道称，该系统不是ASML的激光喷砂锡滴，而是在电极之间蒸发液态锡，并通过高压放电将其转化为等离子体。
然而，正如中国自媒体《商业早报》eastmoney.cm所解释的那样，传统的放电产生的等离子体系统存在电极热负荷过大和严重的腐蚀问题。据报道，LDP 可以通过将一些初始加热工作转移到激光器上来缓解这些问题。
然而，即使有了这些改进，前方的道路仍然陡峭。《商业晨报》指出，在当前的技术环境中，LDP 在与 ASML 激光生产的等离子体方法的性能和可靠性相匹配方面仍面临挑战。
总之，中国国内企业可能正在缩小 DUV 工具的差距，但复制 ASML 的 EUV 生态系统需要多年的研发和全球供应链弹性。尽管如此，SiCarrier、SMEE 和 AMIES 等公司的崛起表明，中国决心在最艰难的技术前沿之一上蚕食。
在国内推动下，中国 A 股芯片公司在 2025 年第一季度至第三季度向研发投入 ¥680亿人民币
随着美国出口管制的收紧，中国半导体产业正在加倍加大研发力度，以缩小技术差距。2025年前三季度，中国有228家A股上市半导体公司累计研发投入680.2亿元，整体研发营收比为10.45%。
中国芯片行业龙头研发支出激增
报告指出，在这些公司中，行业领导者表现出了强大的财务实力和长期战略眼光。中国顶级设备制造商奈拉以32.85亿元的研发支出排名第一，其次是中国主要CPU制造商海光，为25.86亿元。
报告还指出，中国领先的芯片设备制造商之一的中微集团（17.94亿元）、汽车芯片制造商安世半导体的母公司闻泰科技（15.98亿元人民币）和中国领先的芯片封装企业长电科技（15.36亿元人民币）等公司都保持了超过10亿元的高强度投资。此外，还有30多家企业的研发投入超过5亿元，包括中国AI芯片制造商寒武纪和中国EDA巨头Empyrean。
中国芯片产业研发投入加速增长
报告指出，中国芯片公司的研发支出也在急剧增长。主要从事芯片设计、晶圆制造和封测的公司北京燕东微电子（YDME）在特种工艺芯片技术投入的推动下，同比增长161.85%领涨。
AMEC （96.30%） 和其他几家公司的研发增长率也超过 50%。报告显示，除了这些领跑者之外，还有 22 家公司的研发投资增长在 30% 至 50% 之间，其中包括中国领先的芯片设备制造商 Naura 和 Hwatsing。
利基领域企业加速研发推进
除了总支出之外，研发与收入的比率（研发支出占收入的比例）是创新实力的另一个关键指标。报告称，多家中小企业脱颖而出，龙芯科技以91.83%领先，凸显了其对推进中国CPU核心技术的承诺。主要 EDA 参与者 Empyrean （69.20%） 和 Primarius （62.04%） 也保持了极高的研发收入比率。
正如爱集微所指出的那样，在强劲的研发投入的推动下，整个半导体价值链的科技公司都显示出强劲的创新势头。在设备领域，除了 Naura 和 AMEC 之外，ACM Research 和 Piotech 等公司继续取得长足进步。在芯片设计方面，豪威集团、兆易创新、中微稳步推进。在材料方面，晶清电子材料和上海信阳正在实现关键技术的突破，而在EDA方面，Empyrean和Primarius等公司正在快速推进。