中国声称采用14纳米逻辑和18纳米DRAM的新架构有望与英伟达4纳米GPU匹敌

在美国出口限制日益严格的背景下，中国正转向创新的芯片架构以增强计算能力。据《南华早报》报道，这一策略——将成熟节点芯片与新颖系统设计结合——旨在缩小与英伟达的性能差距。

《南华早报》援引中国半导体工业协会副会长魏少军的话称，14纳米逻辑芯片结合高性能内存和先进计算架构，可能接近英伟达4纳米AI训练处理器的能力。他进一步强调，他提出的框架建立在“完全本土的供应链”之上。

Wei的方法聚焦于“软件定义近内存计算”，即利用3D混合键合将14nm逻辑芯片与18nm DRAM堆叠。报告补充说，近内存计算使处理器更靠近内存，实现硬件与软件的协同设计，以减少数据流动并提高效率。

Tom's Hardware指出，三维混合键合（铜对铜和氧化物结合），用直接铜互连取代焊点，且间距低于10微米，是拟议设计的关键元素。

据《商业时报》报道，该解决方案还旨在减少对NVIDIA CUDA生态系统的市场依赖。Wei指出CUDA是一个主要的漏洞点，指出一旦软件、模型和硬件绑定到单一专有平台，部署替代处理器将变得极其困难，正如Tom's Hardware所指出的。

中国媒体PCPOP表示，魏明披露了更多性能声明，称国产设计每瓦实现2 TFLOPS，总计120 TFLOPS——他称这些数据超过了NVIDIA A100 GPU。然而，官方规格显示A100可达312 TFLOPS，远超中国方案的能力。

利用堆叠设计抵消工艺技术极限的基本理念，也得到了其他中国科技领袖的呼应。据《南华早报》报道，华为创始人任任正飞认为，中国可以通过芯片“堆叠与集群”实现前沿性能，而无需直接逐节点竞赛。