内存超级周期似乎势不可挡，内存巨头已经通过提高价格来应对。据《韩国经济日报》报道，三星和SK海力士已将第四季度的DRAM和NAND闪存价格提高了30%，将新价格转嫁给客户。
值得注意的是，报告中引用的分析师预测，人工智能驱动的内存超级周期将比过去的繁荣时期更长、更强。据《韩国经济日报》报道，供应短缺可能会持续三到四年。据报道，这是由几个重叠因素推动的：对价值数十万亿韩元的人工智能服务器的新投资、通用服务器的持续内存升级以及对设备上人工智能的需求不断增长。
因此，据《朝鲜日报》报道，几家领先的国际电子和服务器公司正在囤积内存，与三星和SK海力士谈判长期供应协议。报告指出，由于对 DRAM 短缺的担忧，据报道，一些美国和中国的电子公司以及数据中心运营商正在探索与这两家韩国内存巨头签订 2-3 年的中长期合同。
报告建议，公司通常按季度或每年签署 DRAM 合同，以保持库存灵活性。然而，报告补充说，随着预测表明通用 DRAM 持续短缺，他们越来越多地采取行动提前确保额外的供应。
随着 HBM 需求猛增，DRAM 供应收紧
《韩国经济日报》援引美光首席商务官 （CBO） Sumit Sadhana 的话称，DRAM 价格攀升的部分原因是供应紧张，这一趋势主要是由 HBM 需求激增推动的，因为 HBM 消耗的晶圆产能是标准 DRAM 的三倍多。
鉴于 HBM 的盈利能力强劲，内存制造商优先考虑 HBM 生产是有道理的。据《韩国经济日报》报道，明年发货的 12 层 HBM4 产品预计每款售价为 500 美元（约合 700,000 韩元），比售价约为 300 美元的 12 层 HBM3e 高出 60% 以上。
然而，报告强调，随着人工智能投资从大容量数据训练转向推理，不仅对 HBM 的需求也在攀升，而且对通用 DRAM 的需求也在攀升，通用 DRAM 比 HBM 处理数据更快、功耗更低，从而具有优势。