随着黄仁勋在CES上正式确认,英伟达所有六款Rubin芯片均已从制造合作伙伴中回归,并计划于2026年发布,显存市场正进入又一次激烈的产能和定价冲刺。据韩国报道,三星电子和SK海力士据报道向包括Microsoft和Google在内的主要客户推销了去年第四季度服务器DRAM价格上涨60%至70%的方案,而PC和智能手机DRAM买家也看到了类似的上涨。
报告指出,记忆板块已全面进入卖方市场,两家韩国巨头拒绝两到三年的长期合约(LTA),坚持季度合约,预计2027年每个季度都将逐步上涨DRAM价格。12月初,美光还表示已锁定涵盖2026年整个日历HBM供应的定价和批量协议,包括HBM4。
HBM订单激增
值得注意的是,Hankyung指出,内存价格的飙升是由AI加速器制造商HBM3E订单激增推动的。美国政府批准英伟达向中国出口H200成为一个重要导火索——每台H200需要八个HBM3E模块,报道称自上个月以来,中国客户已下达30亿美元新订单。
该报道呼应了路透社早前的报道,指出英伟达已选中台积电以提升产量。据路透社报道,中国企业据称2026年订购了超过200万台H200,而这家美国芯片巨头目前仅有70万块芯片库存。
此外,开发谷歌TPU定制AI加速器的博通也在增加HBM3E订单,进一步收紧DRAM供应,韩京指出。
另一方面,据technode称,阿里巴巴计划购买4万至5万台AMD的MI308 AI加速器,这些加速器也已获得美国出口批准。据报道,每颗芯片都配备192GB的HBM3内存,并且可以在单张卡上运行700亿参数LLM的长上下文推断。报告指出,价格约为12,000美元,比英伟达的H20便宜约15%。
其他大型科技公司加入行列
然而,据报道,包括Microsoft和亚马逊在内的其他科技巨头,就像热铁皮屋顶上的猫一样,飞往韩国以确保DRAM供应,随着HBM3E产量的增加导致供应紧张,推理AI需求激增导致短缺,韩国报道。报道补充称,首尔附近的板桥商务酒店挤满了由亚马逊、谷歌等云巨头以及苹果、戴尔等设备制造商派遣的采购团队提供的长期住宿预订。
据TrendForce称,预计这一热潮将持续,2026年1季度传统DRAM合约价格环比预计上涨55–60%,而NAND闪存价格环比预计上涨33–38%。
TrendForce观察到,随着美国CSP锁定产能,DRAM供需差距持续扩大,迫使其他买家接受更高价格;服务器DRAM价格预计QoQ将飙升超过60%。
