随着黄仁勋在CES上正式确认，英伟达所有六款Rubin芯片均已从制造合作伙伴中回归，并计划于2026年发布，显存市场正进入又一次激烈的产能和定价冲刺。据韩国报道，三星电子和SK海力士据报道向包括Microsoft和Google在内的主要客户推销了去年第四季度服务器DRAM价格上涨60%至70%的方案，而PC和智能手机DRAM买家也看到了类似的上涨。
报告指出，记忆板块已全面进入卖方市场，两家韩国巨头拒绝两到三年的长期合约（LTA），坚持季度合约，预计2027年每个季度都将逐步上涨DRAM价格。12月初，美光还表示已锁定涵盖2026年整个日历HBM供应的定价和批量协议，包括HBM4。
HBM订单激增
值得注意的是，Hankyung指出，内存价格的飙升是由AI加速器制造商HBM3E订单激增推动的。美国政府批准英伟达向中国出口H200成为一个重要导火索——每台H200需要八个HBM3E模块，报道称自上个月以来，中国客户已下达30亿美元新订单。
该报道呼应了路透社早前的报道，指出英伟达已选中台积电以提升产量。据路透社报道，中国企业据称2026年订购了超过200万台H200，而这家美国芯片巨头目前仅有70万块芯片库存。
此外，开发谷歌TPU定制AI加速器的博通也在增加HBM3E订单，进一步收紧DRAM供应，韩京指出。
另一方面，据technode称，阿里巴巴计划购买4万至5万台AMD的MI308 AI加速器，这些加速器也已获得美国出口批准。据报道，每颗芯片都配备192GB的HBM3内存，并且可以在单张卡上运行700亿参数LLM的长上下文推断。报告指出，价格约为12,000美元，比英伟达的H20便宜约15%。
其他大型科技公司加入行列
然而，据报道，包括Microsoft和亚马逊在内的其他科技巨头，就像热铁皮屋顶上的猫一样，飞往韩国以确保DRAM供应，随着HBM3E产量的增加导致供应紧张，推理AI需求激增导致短缺，韩国报道。报道补充称，首尔附近的板桥商务酒店挤满了由亚马逊、谷歌等云巨头以及苹果、戴尔等设备制造商派遣的采购团队提供的长期住宿预订。
据TrendForce称，预计这一热潮将持续，2026年1季度传统DRAM合约价格环比预计上涨55–60%，而NAND闪存价格环比预计上涨33–38%。
TrendForce观察到，随着美国CSP锁定产能，DRAM供需差距持续扩大，迫使其他买家接受更高价格;服务器DRAM价格预计QoQ将飙升超过60%。
