随着美国三星和韩国海力士在中国的VEU（验证终端用户）资格将于2025年12月31日到期，这对这两家存储巨头运营的潜在影响正受到密切关注。据韩京称，这些公司避免了最坏的情况，因为美国现在将允许设备在年度审查制度下运输。
彭博社于九月首次报道，美国商务部向韩国官员提出了一项“站点许可”计划，取代此前授予三星电子习安NAND晶圆厂和SK海力士无锡DRAM和大连NAND设施的无限期授权。
据韩京称，企业必须提前提交当年所需的半导体设备种类和数量，美国政府会审核这些申请以批准出口。
尽管该系统据称降低了全面撤销VEU的风险，但报告指出，美国政府估计将三星电子和SK海力士的中国晶圆厂从VEU名单中剔除，每年可能需要多达1000个出口批准。即使采用了新的年度审批制度，报告中引用的行业观察人士仍警告，运营不确定性依然存在，企业可能难以准确预测所需设备和组件的类型和数量。
此外，修订并未改变华盛顿的立场。据韩京报道，美国政府据称仍坚持禁止设备出口用于扩建或升级的政策。因此，正如《全球经济》指出的，韩国芯片制造商正从扩张转向在中国的生存，他们现在更重视传统工艺的收益率，而非晶圆厂升级。
三星与SK海力士在中国的布局
据TrendForce称，预计2025年三星总NAND产量中约30%至35%将来自中国。对于韩国海力士来说，其DRAM产量中大致相当的份额将来自中国，而中国在NAND产量中扮演更重要的角色，预计当年将占其总NAND产量的40%至45%。
《商业邮报》报道，三星目前在其习安1和2工厂每月约生产27万片NAND晶圆，而SK海力士大连工厂每月约产10万片晶圆。
与此同时，韩京指出，SK海力士无锡工厂预计在2026年不会经历重大工艺转型，比如在2024年启动10nm级第四代（1a）DRAM系列后，转向1b DRAM技术。报告补充称，根据现行战略，传统DRAM（如1z和1a）将继续在无锡生产，而包括1b和1c的先进产品线则保留给SK海力士的梨川和清州工厂。
