据报道，由于顶级内存制造商在供应紧张的情况下提高了价格，《 The Chosun Daily》援引集邦咨询的话强调，到 2025 年第三季度末，全球 DRAM 库存平均仅为 3.3 周，与 2018 年的低点持平，预示着内存市场的超级周期可能即将到来。
该报告进一步指出，根据 TrendForce 集邦咨询的数据，当前的 DRAM 库存反映了七年前的 3-4 周低点。报告补充说，即使买家持有约 10 周的库存，需求仍然强劲。
除了当前的供应紧张之外，SeDaily指出，存储半导体通常遵循 3-4 年的繁荣和萧条周期。虽然该行业在 2018 年至 2019 年达到了创纪录的峰值，但报告中援引的专家表示，当前的周期正在因人工智能热潮而发生巨大重塑和放大。《 The Chosun Daily》援引摩根士丹利的话预测，这一周期的峰值将在 2027 年到来，预计飙升将持续一年多。
随着 DRAM 库存创下历史新低，价格飙升。TrendForce集邦咨询指出，三大DRAM供应商优先考虑高端服务器DRAM和HBM的先进制程产能，限制了PC、移动和消费类领域的供应。因此，传统DRAM价格预计在25年第四季度将环比上涨8-13%，如果包括HBM，涨幅将达到13-18%。
与此同时，TrendForce集邦咨询补充说，所有类别的NAND闪存合约价格也有望攀升，5年第四季度平均涨幅为10-4%。
人工智能驱动的内存紧缩背后是什么？
据《 The Chosun Daily》报道，最近需求激增是由人工智能推动的。报告指出，HBM 是通过像高层公寓一样堆叠和捆绑 DRAM 而建造的，导致三星电子等内存制造商重新利用 DRAM 生产线，从而降低了 DRAM 的整体产量。与此同时，报告补充说，2017 年至 2018 年间建设的大型数据中心现在需要更换服务器，这进一步推动了对通用 DRAM 的需求。
另一方面，SeDaily 报道称，包括亚马逊、Microsoft 和 Google Cloud 在内的传统超大规模企业以及 OpenAI 和 Meta 等人工智能巨头正在向新的人工智能数据中心投入大量投资。报告补充说，与之前的周期不同，这些设施现在正在推动内存需求，成为市场飙升背后的主要力量。
报告补充说，NAND 闪存市场也面临着类似的压力，因为用企业级固态硬盘 （eSSD） 替换或补充传统硬盘驱动器 （HDD） 用于 AI 数据处理的需求激增，加剧了 NAND 供应短缺。
然而，随着需求升温，《 The Chosun Daily》指出供应紧张，并指出内存制造商正在推迟快速增产并坚持长期投资计划。报告援引一位行业消息人士的话补充说，由于特朗普时代的关税等不确定性，以及中国公司CXMT和长江存储最近进入HBM市场，无限期扩大DRAM产量变得越来越困难。
价格上涨酝酿
因此，根据这一趋势，内存巨头正在准备在人工智能繁荣推动的短缺的情况下进一步涨价。据SeDaily和Business Korea报道，继三星和美光之后，SK 海力士虽然推迟正式公告，但据报道正在根据市场情况调整价格的政策与客户进行谈判。
报道指出，三星告知主要客户，包括 LPDDR4X 和 LPDDR5/5X 在内的 DRAM 产品第四季度合同价格预计将上涨 15%-30%。对于 NAND 产品，eMMC 和 UFS 合同价格预计将上涨 5%-10%，据 SeDaily 和 Business Korea 报道。
与此同时，据报道，在暂停报价约一周后，据报道，行业消息人士表示，美光已通知其渠道，所有存储产品的价格可能会上涨 20-30%。