碳化硅二极管（Silicon carbide diode, SiC Diodes）是一种半导体器件，由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐压能力和高的温度耐受性，因此碳化硅二极管具有较低的反向漏电流、高温下稳定性良好、响应速度快等特点。
| 型号 | 制造商 | 封装 | VF/V | IF/A | IR/μA | VR/V |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RSS30120K | REASUNOS | TO-247-3L | 1.55 | 30 | 5 | 1200 |
| RSS40120K | REASUNOS | TO-247-3L | 1.45 | 40 | 2 | 1200 |
| RSS40120W | REASUNOS | TO-247-2L | 1.5 | 40 | 2 | 1200 |
| RSS50120W | REASUNOS | TO-247-2L | 1.4 | 50 | 30 | 1200 |
| RSS1A120W | REASUNOS | TO-247-2L | 100 | 1200 | ||
| RSS25170W | REASUNOS | TO-247-2L | 1.55 | 25 | 5 | 1700 |
| RSS10200W | REASUNOS | TO-247-2L | 1.45 | 10 | 8 | 2000 |