碳化硅二极管

碳化硅二极管（Silicon carbide diode, SiC Diodes）是一种半导体器件，由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐压能力和高的温度耐受性，因此碳化硅二极管具有较低的反向漏电流、高温下稳定性良好、响应速度快等特点。

可用碳化硅二极管型号：{{totalCount}}个

型号	制造商	封装	VF/V	IF/A	IR/μA	VR/V
LGE3D02120F	LGE	TO-252	1.4	2	1	1200
LGE3D04065A	LGE	TO-220AC	1.4	4	1	650
LGE3D05120A	LGE	TO-220AC	1.38	5	2	1200
LGE3D06065A	LGE	TO-220AC	1.45	6	7	650
LGE3D06065AF	LGE	ITO-220AC	1.38	6	2	650
LGE3D06065F	LGE	TO- 252/DPAK	1.43	6	5	650
LGE3D06065G	LGE	DFN8×8	1.5	6	5	650
LGE3D06065N	LGE	DFN5×6	1.45	6	5	650
LGE3D08065A	LGE	TO-220AC	1.45	8	12	650
LGE3D08120A	LGE	TO-220AC	1.45	8	3	1200
LGE3D10065A	LGE	TO-220AC	1.45	10	2	650
LGE3D10065AF	LGE	ITO-220AC	1.4	10	2	650
LGE3D10065AI	LGE	TO-220AC	1.4	10	2	650
LGE3D10065E	LGE	TO- 263/D2PAK	1.45	10	12	650
LGE3D10065F	LGE	TO- 252/DPAK	1.45	10	12	650
LGE3D10065G	LGE	DFN8×8	1.5	10	10	650
LGE3D10065H	LGE	TO-247-2	1.45	10	12	650
LGE3D10120A	LGE	TO-220AC	1.45	10	5	1200
LGE3D10170H	LGE	TO-247-2	1.5	10	5	1700
LGE3D15065A	LGE	TO-220AC	1.4	15	2	650