碳化硅(Silicon carbide,Sic)是一种半导体,被用于越来越多的电子元件。碳化硅 MOSFET 就是一个很好的例子,通常简称为碳化硅 FET。这些碳化硅、SiC MOSFET 或 SiC FET 比其硅等效电子元件在性能上提供了一些有用的改进。从本质上讲,这些 SiC MOSFET 比硅同类产品提供更高的阻断电压、更低的导通电阻和更高的导热性。
| 型号 | 品牌 | VDS/V | ID/A | RDS/mΩ | PD/W | 封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| LGE3M80120B | LGE | 1200 | 40 | 80 | 208 | TO-247-3 |
| LGE3M80120J | LGE | 1200 | 32 | 80 | 136 | TO-263-7 |
| LGE3M80120Q | LGE | 1200 | 42 | 80 | 300 | TO-247-4 |
| LGE3M160120B | LGE | 1200 | 19 | 160 | 134 | TO-247-3 |
| LGE3M160120E | LGE | 1200 | 17 | 160 | 127 | TO-263-2 |
| LGE3M160120Q | LGE | 1200 | 20 | 160 | 138 | TO-247-4 |
| LGE3M650170B | LGE | 1700 | 7 | 650 | 62 | TO-247-B |