LGE 碳化硅MOSFET

碳化硅(Silicon carbide,Sic)是一种半导体,被用于越来越多的电子元件。碳化硅 MOSFET 就是一个很好的例子,通常简称为碳化硅 FET。这些碳化硅、SiC MOSFET 或 SiC FET 比其硅等效电子元件在性能上提供了一些有用的改进。从本质上讲,这些 SiC MOSFET 比硅同类产品提供更高的阻断电压、更低的导通电阻和更高的导热性。

可用LGE碳化硅MOSFET型号:27个
型号 品牌 VDS/V ID/A RDS/mΩ PD/W 封装
LGE3M80120B LGE 1200 40 80 208 TO-247-3
LGE3M80120J LGE 1200 32 80 136 TO-263-7
LGE3M80120Q LGE 1200 42 80 300 TO-247-4
LGE3M160120B LGE 1200 19 160 134 TO-247-3
LGE3M160120E LGE 1200 17 160 127 TO-263-2
LGE3M160120Q LGE 1200 20 160 138 TO-247-4
LGE3M650170B LGE 1700 7 650 62 TO-247-B
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