主页产品 新型功率器件 碳化硅MOSFET LGE

LGE 碳化硅MOSFET

碳化硅(Silicon carbide,Sic)是一种半导体，被用于越来越多的电子元件。碳化硅 MOSFET 就是一个很好的例子，通常简称为碳化硅 FET。这些碳化硅、SiC MOSFET 或 SiC FET 比其硅等效电子元件在性能上提供了一些有用的改进。从本质上讲，这些 SiC MOSFET 比硅同类产品提供更高的阻断电压、更低的导通电阻和更高的导热性。

可用LGE碳化硅MOSFET型号：27个
型号 品牌 VDS/V ID/A RDS/mΩ PD/W 封装
LGE3M1K170B LGE 1700 5 1000 69 TO-247-3
LGE3M14120Q LGE 1200 152 14 625 TO-247-4
LGE3M18120Q LGE 1200 105 18 428 TO-247-4
LGE3M20120Q LGE 1200 100 20 428 TO-247-4
LGE3M25120Q LGE 1200 90 25 370 TO-247-4
LGE3M28065Q LGE 650 95 28 326 TO-247-4
LGE3M30065B LGE 650 91 30 326 TO-247-3
LGE3M30065Q LGE 650 92 28 326 TO-247-4
LGE3M35120B LGE 1200 69 33 330 TO-247-3
LGE3M35120Q LGE 1200 69 33 300 TO-247-4
LGE3M40065B LGE 650 72 40 348 TO-247-3
LGE3M40065Q LGE 650 72 40 348 TO-247-4
LGE3M40120Q LGE 1200 59 40 300 TO-247-4
LGE3M45170B LGE 1700 72 45 520 TO-247-3
LGE3M45170Q LGE 1700 72 45 520 TO-247-4
LGE3M50120B LGE 1200 58 50 327 TO-247-3
LGE3M50120Q LGE 1200 58 50 344 TO-247-4
LGE3M50330Q LGE 3300 68 50 560 TO-247-4
LGE3M60065Q LGE 650 51 59 208 TO-247-4
LGE3M70120J LGE 1200 36 68 192 TO-263-7
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