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中压MOSFET

中压MOSFET(Medium-voltage MOSFET)在电压和电流能力之间取得了平衡,是工业应用中最常见的类型。漏源电压(Vds)通常为200V, 300V, 400V, 500V, 600V。超结技术是其革命性的进步,它通过在传统的漂移区中插入P型柱,实现了比传统平面结构更低的导通电阻和更快的开关速度。

制造商
VDS_Max/V
-
ID_Max /A
-
VGS(th)Typ/V
-
RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V
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RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V
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RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 4.5V
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RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V
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VGS_Max/V
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可用中压MOSFET型号:{{totalCount}}
型号 制造商 封装 类型 VDS_Max/V ID_Max /A VGS(th)Typ/V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 4.5V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V VGS_Max/V
JMSH1003NE JJM TO-263-3L N 100 213 3 3 3.6 ±20
JMSH1003NE7 JJM TO-263-7L N 100 167 3.1 3.1 4 ±20
JMSH1003NG JJM PDFN5x6-8L N 100 159 3 3.1 3.7 ±20
JMSH1003TC JJM TO-220C-3L N 100 223 3.2 3.2 4.2 ±20
JMSH1003TE JJM TO-263-3L N 100 223 3.2 3 4.2 ±20
JMSH1003TF JJM TO-220FP-3L N 100 80 3 4.4 5.4 ±20
JMSH1003TTL JJM PowerJE®10x12 N 100 184 2.9 3.5 5 ±20
JMSH1003VE JJM TO-263-3L N 100 191 3 2.5 3.3 ±20
JMSH1004AC JJM TO-220C-3L N 100 190 2.7 3 3.6 ±20
JMSH1004AE JJM TO-263-3L N 100 190 2.7 3 3.6 ±20
JMSH1004BC JJM TO-220C-3L N 100 134 2.7 3.7 4.5 ±20
JMSH1004BE JJM TO-263-3L N 100 134 2.7 3.7 4.5 ±20
JMSH1004BG JJM PDFN5x6-8L N 100 112 2.7 3.3 4.3 ±20
JMSH1004MC JJM TO-220-3L N 100 117 2.9 4.5 5.8 ±20
JMSH1004NC JJM TO-220C-3L N 100 143 3 4.3 4.9 ±20
JMSH1004NE JJM TO-263-3L N 100 143 3 4.1 4.8 ±20
JMSH1004NG JJM PDFN5x6-8L N 100 121 3 4 4.8 ±20
JMSH1004RG JJM PDFN5x6-8L N 100 117 3 4.6 5.9 ±20
JMSH1005PC JJM TO-220C-3L N 100 132 3 4.3 5.3 ±20
JMSH1005PE JJM TO-263-3L N 100 132 3 4 5 ±20